Modulo IGBT, 1200V 400A, Confezione:C2
Breve introduzione
modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 400A. - Sì.
Caratteristiche
Applicazioni tipiche
Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
V CES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
V |
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
Io C |
Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C |
636 400 |
A |
Io CM |
Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms |
800 |
A |
P P |
Dissipation di potenza massima @ T Vj = 175 O C |
2083 |
W |
Diodo
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
V RRM |
Volt inverso di picco ripetitivo Età |
1200 |
V |
Io F |
Diode Corrente continua in avanti Cu Renta |
400 |
A |
Io FM |
Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms |
800 |
A |
Modulo
Il simbolo |
Descrizione |
valore |
unità |
t vjmax |
Temperatura massima di giunzione |
175 |
O C |
t vjop |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +150 |
O C |
t STG |
Intervallo di temperatura di conservazione |
-40 a +125 |
O C |
V ISO |
Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min |
2500 |
V |
IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
unità |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
Io C = 400 A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C |
|
1.75 |
2.20 |
V |
Io C = 400 A,V GE = 15V, t Vj = 125 O C |
|
2.00 |
|
|||
Io C = 400 A,V GE = 15V, t Vj = 150 O C |
|
2.05 |
|
|||
V GE (th ) |
Limita di emissione della porta Tensione |
Io C =14.4 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Io CES |
Collettore Taglio -OFF corrente |
V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C |
|
|
1.0 |
mA |
Io GES |
Perforazione del portello corrente |
V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C |
|
|
400 |
NA |
R Gint |
Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
|
0.5 |
|
Ω |
C ies |
Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
|
37.3 |
|
NF |
C res |
Trasferimento inverso Capacità |
|
1.04 |
|
NF |
|
Q g |
Importo della porta |
V GE =-15 ...+15V |
|
2.80 |
|
μC |
t P (ON ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, R g =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T Vj = 25 O C |
|
223 |
|
NS |
t R |
Tempo di risalita |
|
49 |
|
NS |
|
t d ((off) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
334 |
|
NS |
|
t F |
Tempo di caduta |
|
190 |
|
NS |
|
e ON |
Accendere Commutazione Perdita |
|
17.9 |
|
mJ |
|
e OFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
28.7 |
|
mJ |
|
t P (ON ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, R g =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T Vj = 125 O C |
|
230 |
|
NS |
t R |
Tempo di risalita |
|
54 |
|
NS |
|
t d ((off) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
385 |
|
NS |
|
t F |
Tempo di caduta |
|
300 |
|
NS |
|
e ON |
Accendere Commutazione Perdita |
|
29.4 |
|
mJ |
|
e OFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
41.2 |
|
mJ |
|
t P (ON ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, R g =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T Vj = 150 O C |
|
228 |
|
NS |
t R |
Tempo di risalita |
|
57 |
|
NS |
|
t d ((off) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
393 |
|
NS |
|
t F |
Tempo di caduta |
|
315 |
|
NS |
|
e ON |
Accendere Commutazione Perdita |
|
32.3 |
|
mJ |
|
e OFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
42.9 |
|
mJ |
|
Io SC |
Dati SC |
t P ≤10μs, V GE = 15V, t Vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V |
|
1600 |
|
A |
Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
unità |
V F |
Diodo di avanzamento Tensione |
Io F = 400 A,V GE =0V,T Vj =2 5O C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
Io F = 400 A,V GE =0V,T Vj = 125 O C |
|
1.90 |
|
|||
Io F = 400 A,V GE =0V,T Vj = 150 O C |
|
1.95 |
|
|||
Q R |
Importo recuperato |
V R = 600V,I F = 400A, -di/dt=8030A/μs, L s =50nH, V GE = 15 V, t Vj = 25 O C |
|
33.6 |
|
μC |
Io RM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
374 |
|
A |
|
e Ricerca |
Ritorno al recupero energia |
|
13.6 |
|
mJ |
|
Q R |
Importo recuperato |
V R = 600V,I F = 400A, -di/dt=7030A/μs, L s =50nH, V GE = 15 V, t Vj = 125 O C |
|
67.5 |
|
μC |
Io RM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
446 |
|
A |
|
e Ricerca |
Ritorno al recupero energia |
|
28.2 |
|
mJ |
|
Q R |
Importo recuperato |
V R = 600V,I F = 400A, -di/dt=6880A/μs, L s =50nH, V GE = 15 V, t Vj = 150 O C |
|
75.5 |
|
μC |
Io RM |
Verso il picco inverso corrente di recupero |
|
452 |
|
A |
|
e Ricerca |
Ritorno al recupero energia |
|
31.4 |
|
mJ |
Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Min. |
Tipo. |
Max. |
unità |
L CE |
Induttanza di deflusso |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
R ilJC |
Giunti -To -caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio) |
|
|
0.072 0.113 |
C/W |
R thCH |
Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo) |
|
0.023 0.036 0.010 |
|
C/W |
m |
Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
g |
Peso di Modulo |
|
300 |
|
g |
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