Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD3600SGT120C4S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

± 20

V

Io C

@ T C = 25 ℃

@ T C = 80 ℃

4800

A

3600

Io CM (1)

Corrente Collettore a Impulso t P = 1 millisecondo

7200

A

Io F

Diodo di corrente continua in avanti

3600

A

Io FM

Diodo Cur massima in avanti affitto

7200

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j =17 5℃

16.7

kw

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

℃

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

℃

V ISO

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaggio

Terminale di segnale Vite:M4

1.8 a 2.1

Vite del Terminale di Potenza:M8

8.0 a 10

N.M

Coppia

Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

4.25 a 5.75

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V (BR )CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25 ℃

1200

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello

corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th )

Limita di emissione della porta

Tensione

Io C =145 mA ,V CE = V GE ,t j = 25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =3600A,V GE = 15V, t j = 25 ℃

1.70

2.15

V

Io C =3600A,V GE = 15V, t j = 125 ℃

2.00

2.45

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

35.0

μC

r Gint

Resistore Interno del Gate

t j = 25 ℃

0.5

Ω

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =3600A, r Gon =0.8Ω,

r Goff =0.2Ω,

V GE = ± 15V,T j = 25 ℃

600

NS

t r

Tempo di risalita

235

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

825

NS

t F

Tempo di caduta

145

NS

e ON

Accendere Perdite di cambio

/

mJ

e OFF

Perdita di Commutazione di Spegnimento

/

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =3600A, r Gon =0.8Ω,

r Goff =0.2Ω,

V GE = ± 15V,T j = 125 ℃

665

NS

t r

Tempo di risalita

215

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

970

NS

t F

Tempo di caduta

180

NS

e ON

Accendere Perdite di cambio

736

mJ

e OFF

Perdita di Commutazione di Spegnimento

569

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

258

NF

C - Non

Capacità di uscita

13.5

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

11.7

NF

Io SC

Dati SC

t s C ≤ 10 μs,V GE = 15V, t j = 125 ℃ V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

14000

A

L CE

Induttanza di deflusso

10

nH

r CC + EE ’

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.12

m Ω

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =3600A

t j = 25 ℃

1.65

2.15

V

t j = 125 ℃

1.65

2.15

Q r

Importo recuperato

Io F =3600A,

V r = 600V,

r Gon =0.8Ω,

V GE - Sì. 15V

t j = 25 ℃

360

μC

t j = 125 ℃

670

Io RM

Ritorno al recupero corrente

t j = 25 ℃

2500

A

t j = 125 ℃

3200

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

97

mJ

t j = 125 ℃

180

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

9.0

K/kW

r θ JC

Giunzione-a-Caso (per Dio di)

15.6

K/kW

r θ CS

Cassa-sink

(Grasso conduttivo applicato, per M odulo)

4

K/kW

Peso

Peso di Modulo

2250

g