GD300MPX120C6SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C

468

300

A

Io CRM

Ripetitiva Pico Collettore corrente tp limitata Di t vjop

600

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T Vj = 175 O C

1530

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo Età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu Renta

300

A

Io MF

Ripetitiva Pico In avanti corrente tp limitata Di t vjop

600

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo Età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu Renta

300

A

Io MF

Ripetitiva Pico In avanti corrente tp limitata Di t vjop

600

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

O C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =300A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C

1.70

2.15

V

Io C =300A,V GE = 15V, t Vj = 125 O C

1.95

Io C =300A,V GE = 15V, t Vj = 150 O C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =12.0 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C

400

NA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

2.5

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

31.1

NF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.87

NF

Q g

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =300A, R g =2,4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T Vj = 25 O C

215

NS

t R

Tempo di risalita

53

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

334

NS

t F

Tempo di caduta

205

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

21.5

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

20.7

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =300A, R g =2,4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T Vj = 125 O C

231

NS

t R

Tempo di risalita

59

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

361

NS

t F

Tempo di caduta

296

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

30.1

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

28.1

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =300A, R g =2,4Ω,Ls=35nH, V GE = ± 15V,T Vj = 150 O C

240

NS

t R

Tempo di risalita

62

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

376

NS

t F

Tempo di caduta

311

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

32.9

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

29.9

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

t Vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =300A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Io F =300A,V GE =0V,T Vj = 125 O C

1.90

Io F =300A,V GE =0V,T Vj = 150 O C

1.95

Q R

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T Vj = 25 O C

36.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

235

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

15.7

mJ

Q R

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T Vj = 125 O C

61.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

257

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

27.5

mJ

Q R

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T Vj = 150 O C

68.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

262

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

30.8

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =300A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Io F =300A,V GE =0V,T Vj = 125 O C

1.90

Io F =300A,V GE =0V,T Vj = 150 O C

1.95

Q R

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=5683A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T Vj = 25 O C

36.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

290

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

13.4

mJ

Q R

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T Vj = 125 O C

56.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

301

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

22.2

mJ

Q R

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T Vj = 150 O C

65.9

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

306

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

26.3

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

Valore B

R 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

Valore B

R 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

35

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

1.45

mΩ

R ilJC

Giunti -To -caso (perIGBT -Inverter ) Giunzione-Caso (per Diode-invert er) Giunzione-Caso (per Diode-3-le vel)

0.098 0.176 0.176

C/W

R thCH

Caso-Dissipatore (per IGBT-in verter) Caso-Dissipatore (per Diode-i ) Caso-Dissipatore (per Diode-3- livello) Cassa-sink (per Modulo)

0.033 0.059 0.059 0.009

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Peso di Modulo

350

g