Modulo IGBT 1700V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C = 100O C

493

300

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

600

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T = 175 O C

1829

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

300

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

600

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.85

2.20

V

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 125 O C

2.25

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 12.0mA,V CE =V GE , t j = 25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

2.5

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

36.1

NF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.88

NF

Q g

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, r Gon =3.3Ω,

r Goff =4.7Ω, V GE =± 15V,

t j = 25 O C

213

NS

t r

Tempo di risalita

83

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

621

NS

t F

Tempo di caduta

350

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

79.2

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

70.2

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, r Gon =3.3Ω,

r Goff =4.7Ω, V GE =± 15V,

t j = 125O C

240

NS

t r

Tempo di risalita

92

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

726

NS

t F

Tempo di caduta

649

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

104

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

108

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =300A, r Gon =3.3Ω, r Goff =4.7Ω,

V GE =± 15V, t j = 150O C

248

NS

t r

Tempo di risalita

95

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

736

NS

t F

Tempo di caduta

720

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

115

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

116

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.80

2.25

V

Io F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Io F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V t j = 25 O C

82.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

407

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

46.6

mJ

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V t j = 125 O C

138

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

462

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

92.2

mJ

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE = 15V t j = 150 O C

154

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

460

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

109

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

r 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

ΔR/R

Deviazione di r 100

t C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

1.10

mΩ

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.082 0.129

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)

0.029 0.046 0.009

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Peso di Modulo

350

g