GD300HFX120C2SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 300A. - Sì.

Caratteristiche

Bassa V CE (sat) IGBT a trincea Tecnologia T
Cortocircuito di 10 μs capacità
V CE (seduto ) Con positivo Temperatura coefficiente
Massimo temperatura di giunzione 175O C
Cassa a bassa induttanza
Recupero inverso veloce e morbido FWD antiparallelo
Piastra di base in rame isolata utilizzando la tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C	477 300	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	600	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T Vj = 175 O C	1578	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	300	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	600	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =300A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C		1.70	2.15	V
		Io C =300A,V GE = 15V, t Vj = 125 O C		1.95
		Io C =300A,V GE = 15V, t Vj = 150 O C		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =12.0 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.0		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		31.1		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.87		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		2.33		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =300A, R g =1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T Vj = 25 O C		181		NS
t R	Tempo di risalita			39		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			305		NS
t F	Tempo di caduta			199		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			22.7		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			21.0		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =300A, R g =1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T Vj = 125 O C		191		NS
t R	Tempo di risalita			45		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			357		NS
t F	Tempo di caduta			313		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			39.8		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			30.7		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =300A, R g =1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T Vj = 150 O C		193		NS
t R	Tempo di risalita			47		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			368		NS
t F	Tempo di caduta			336		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			44.2		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			32.3		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t Vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1200		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =300A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		Io F =300A,V GE =0V,T Vj = 125 O C		1.90
		Io F =300A,V GE =0V,T Vj = 150 O C		1.95
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =300A, -di/dt=7400A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T Vj = 25 O C		59.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			397		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			24.9		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =300A, -di/dt=6300A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T Vj = 125 O C		91.8		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			383		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			36.5		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =300A, -di/dt=6100A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T Vj = 150 O C		99.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			380		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			39.1		mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso			20	nH
R CC+EE	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip		0.35		mΩ
R ilJC	Giunti -To -caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.095 0.163	C/W
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		0.032 0.054 0.010		C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Peso di Modulo		300		g