GD260HTA120P7H_T, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 260A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Basse perdite di cambio
Capacità di cortocircuito di 6 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Baseplate di rame isolata con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Applicazione automobilistica
Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io CN	Collettore Cu implementato Renta	260	A
Io C	Corrente del collettore @ T F = 125 O C	150	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	520	A
P P	Massima dissipazione di potenza ation @ t F =75 O C t Vj = 175 O C	526	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V RRM	Pico ripetitivo volta inversa GE	1200	V
Io FN	Collettore Cu implementato Renta	260	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	150	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	520	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione continua Per 10s all'interno di un periodo di 30s, occorrenza massimo 3000 volte durante la vita me	-40 a +150 +150 a +175	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =150A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C		1.15	1.50	V
		Io C =150A,V GE = 15V, t Vj = 125 O C		1.20
		Io C =150A,V GE = 15V, t Vj = 150 O C		1.20
		Io C =260A, V GE = 15V, t Vj = 25 O C		1.35
		Io C =260A, V GE = 15V, t Vj = 150 O C		1.55
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =10.4 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C		6.4		V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza interna della porta			2.50		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		54.1		NF
C - Non	Capacità di uscita			1.04		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità			0.35		NF
Q g	Importo della porta	V CE = 600V,I C =260A, V GE =-8... +15V		3.54		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =150A, R g =3.3Ω, V GE =-8V/+15V, L s =35 nH ,t Vj = 25 O C		345		NS
t R	Tempo di risalita			61		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			933		NS
t F	Tempo di caduta			105		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			19.6		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			11.0		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =150A, R g =3.3Ω, V GE =-8V/+15V, L s =35 nH ,t Vj = 125 O C		376		NS
t R	Tempo di risalita			69		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1052		NS
t F	Tempo di caduta			164		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			25.3		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			14.3		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =150A, R g =3.3Ω, V GE =-8V/+15V, L s =35 nH ,t Vj = 150 O C		382		NS
t R	Tempo di risalita			73		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1085		NS
t F	Tempo di caduta			185		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			27.6		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			15.7		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤6μs, V GE = 15V, t Vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Diodo Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =150A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.45	1.80	V
		Io F =150A,V GE =0V,T Vj = 125 O C		1.40
		Io F =150A,V GE =0V,T Vj = 150 O C		1.35
		Io F =260A, V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.65
		Io F =260A, V GE =0V,T Vj = 150 O C		1.65
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =150A, -di/dt=2690A/μs,V GE =-8V L s =35 nH ,t Vj = 25 O C		14.2		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			123		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			3.79		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =150A, -di/dt=2210A/μs,V GE =-8V L s =35 nH ,t Vj = 125 O C		24.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			137		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			6.30		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =150A, -di/dt=2130A/μs,V GE =-8V L s =35 nH ,t Vj = 150 O C		27.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			142		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			7.08		mJ

NTC Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modulo Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
△ P	Caduta di Pressione Circuito di Raffreddamento cuo Δ V\/Δt=10.0dm3\/min;TF=2 5 O C;Raffreddamento Fluido=50% Acqua/50% Glicole Etilenico		50		mbar
P	Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo			2.0	bar
R thJF	Giunti -To -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C		0.165 0.265	0.190 0.305	C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
g	Peso di Modulo		685		g