GD225HFX120C6S, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 225A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =195 O C	338 225	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	450	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C	1071	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	225	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	450	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =225A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.75	2.20	V
		Io C =225A,V GE = 15V, t j = 125 O C		2.00
		Io C =225A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.05
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =8.16 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			0.7		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		23.3		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.65		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		1.75		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =225A, R g = 1,6Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C		136		NS
t R	Tempo di risalita			34		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			372		NS
t F	Tempo di caduta			69		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			5.78		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			16.7		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =225A, R g = 1,6Ω,V GE =± 15V, t j = 125 O C		145		NS
t R	Tempo di risalita			34		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			461		NS
t F	Tempo di caduta			88		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			10.6		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			26.0		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =225A, R g = 1,6Ω,V GE =± 15V, t j = 150 O C		153		NS
t R	Tempo di risalita			34		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			490		NS
t F	Tempo di caduta			98		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			12.8		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			28.9		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		900		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =225A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.85	2.30	V
		Io F =225A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		Io F =225A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q R	Importo recuperato	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, t j = 25 O C		25.9		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			345		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			11.8		mJ
Q R	Importo recuperato	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, t j = 125 O C		49.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			368		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			21.6		mJ
Q R	Importo recuperato	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, t j = 150 O C		56.4		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			391		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			24.5		mJ

NTC Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		20		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		1.10		mΩ
R ilJC	Giunti -To -caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.140 0.203	C/W
R thCH	caso -To -Dissipatore di Calore (perIGBT ) Cassa-sink (per diodo) Cassa-sink (per Modulo)		0.030 0.044 0.009		C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
g	Peso di Modulo		350		g