GD200TLQ120L3S, Modulo IGBT, 3-livelli, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C

@ T C = 100o C

339

200

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p = 1 millisecondo

400

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

1456

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

75

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p = 1 millisecondo

150

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

650

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C

@ T C = 95 o C

158

100

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p = 1 millisecondo

200

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

441

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

650

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

100

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p = 1 millisecondo

200

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 100A,V GE = 15 V, T j = 25 o C

1.40

1.85

V

Io C = 100A,V GE = 15 V, T j = 125 o C

1.65

Io C = 100A,V GE = 15 V, T j = 150 o C

1.70

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

3.8

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.58

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

1.56

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C

142

nS

t r

Tempo di risalita

25

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

352

nS

t f

Tempo di caduta

33

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

1.21

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

3.90

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 125o C

155

nS

t r

Tempo di risalita

29

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

440

nS

t f

Tempo di caduta

61

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

2.02

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

5.83

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 150o C

161

nS

t r

Tempo di risalita

30

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

462

nS

t f

Tempo di caduta

66

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

2.24

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

6.49

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =75A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.70

2.15

V

Io F =75A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

Io F =75A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C

8.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

122

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

2.91

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125o C

17.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

143

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

5.72

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 150o C

19.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

152

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

6.30

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 100A,V GE = 15 V, T j = 25 o C

1.45

1.90

V

Io C = 100A,V GE = 15 V, T j = 125 o C

1.60

Io C = 100A,V GE = 15 V, T j = 150 o C

1.70

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 1.60mA,V CE =V GE , T j = 25 o C

5.0

5.8

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

2.0

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

11.6

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.23

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

0.69

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 100A, R G =3.3Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C

44

nS

t r

Tempo di risalita

20

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

200

nS

t f

Tempo di caduta

28

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

1.48

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

2.48

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 100A, R G =3.3Ω,V GE =± 15V, T j = 125o C

48

nS

t r

Tempo di risalita

24

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

216

nS

t f

Tempo di caduta

40

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

2.24

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

3.28

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 100A, R G =3.3Ω,V GE =± 15V, T j = 150o C

52

nS

t r

Tempo di risalita

24

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

224

nS

t f

Tempo di caduta

48

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

2.64

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

3.68

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 6 μs,V GE = 15 V,

T j = 150 o C,V CC = 360V, V CEM ≤ 650 V

500

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 100A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.55

2.00

V

Io F = 100A,V GE =0V,T j = 125o C

1.50

Io F = 100A,V GE =0V,T j = 150o C

1.45

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C

3.57

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

99

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

1.04

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125o C

6.49

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

110

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

1.70

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 150o C

7.04

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

110

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

1.81

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

δR/R

Deviazione di R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R ilJC

Connessione con il cassa (per T1, T4 IGBT)

Junction-to-Case (per D1,D4 Dio di)

Junction-to-Case (per T2, T3 IGBT)

Junction-to-Case (per D2,D3 Dio di)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

C/W

R thCH

Cassa-sink (per T1,T4 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D1,D4 DIODE)

Cassa-sink (per T2,T3 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D2,D3 DIODE)

Cassa-sink (per Modulo)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

C/W

F

Forza di fissaggio per ciascuna tenaglia

40

80

N

G

Peso di Modulo

39

g