GD200SGU120C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

Breve introduzione

Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Applicazioni tipiche

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Descrizione	GD200SGU120C2S	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente Collettore @ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	320 200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 mS	400	A
Io F	Corrente continua in avanti del diodo @ T C = 80 ℃	200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	400	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j =1 50℃	1645	W
T jmax	Temperatura massima di giunzione	150	℃
T STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	℃
V ISO	Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V
Montaggio Coppia	Terminale di segnale Vite:M4	1.1 a 2.0
	Filtro di alimentazione:M6	2,5 a 5.0	N.M
	Fabbricazione di dispositivi di controllo:	3,0 a 5.0

Elettrico Caratteristiche di IGBT T C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Non caratteristiche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V (BR )CES	Collettore-emittente Tensione di Rottura	T j = 25 ℃	1200			V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 ℃			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 ℃			400	nA

Sulle caratteristiche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 ℃	4.4	4.9	6.0	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, T j = 25 ℃		3.10	3.55	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, T j = 125 ℃		3.45		V

Caratteristiche di cambio

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =± 15V, T j = 25 ℃		577		nS
t r	Tempo di risalita			120		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			540		nS
t f	Tempo di caduta			123		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			16.3		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			12.0		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =± 15V, T j = 125 ℃		609		nS
t r	Tempo di risalita			121		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			574		nS
t f	Tempo di caduta			132		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			22.0		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			16.2		mJ
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V		16.9		nF
C - Non	Capacità di uscita			1.51		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità			0.61		nF
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE =15 V, T j = 125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		1800		A
L CE	Induttanza di deflusso				20	nH
R CC+EE	Modulo piombo Resistenza, Terminal a chip			0.18		mΩ

Elettrico Caratteristiche di Diodo T C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova		Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A	T j = 25 ℃		1.82	2.25	V
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A	T j = 125 ℃		1.92		V
Q r	Ricostruito Carica	Io F =200A, V R = 600V, R G =4.7Ω, V GE = 15V	T j = 25 ℃		13.1		μC
Q r	Ricostruito Carica		T j = 125 ℃		26.1		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero		T j = 25 ℃		123		A
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero		T j = 125 ℃		172		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia		T j = 25 ℃		7.0		mJ
E ricerca	Ritorno al recupero Energia		T j = 125 ℃		12.9		mJ

Caratteristica termica ics

Il simbolo	Parametro	Tipo.	Max.	Unità
R θ JC	Connessione con il caso (per IGB) T)		0.076	C/W
R θ JC	Connessione con il caso (per D) Iodio)		0.128	C/W
R θ CS	Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)	0.035		C/W
Peso	Peso Modulo	300		g