GD200MLY120C2S,3-livelli ,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C

@ T C = 100o C

337

200

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

400

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

1162

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

200

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

400

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

200

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

400

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =200A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.70

2.15

V

Io C =200A,V GE = 15V, T j = 125 o C

1.95

Io C =200A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

4.0

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.58

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

1.55

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C

150

nS

t r

Tempo di risalita

32

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

330

nS

t f

Tempo di caduta

93

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

11.2

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

11.3

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 125o C

161

nS

t r

Tempo di risalita

37

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

412

nS

t f

Tempo di caduta

165

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

19.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

17.0

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 150o C

161

nS

t r

Tempo di risalita

43

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

433

nS

t f

Tempo di caduta

185

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

21.9

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

19.1

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =200A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.65

2.10

V

Io F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

Io F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C

17.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

228

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

7.7

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125 o C

31.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

238

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

13.8

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 150 o C

36.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

247

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

15.2

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =200A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.65

2.10

V

Io F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

Io F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C

17.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

228

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

7.7

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125 o C

31.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

238

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

13.8

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 150 o C

36.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

247

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

15.2

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

δR/R

Deviazione di R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R ilJC

Unione-Case (per T 1-T4 IGBT)

Unione-Case (per D1-D4 Di odo)

Unione-Case (per D5,D6 Dio di)

0.129

0.237

0.232

C/W

R thCH

Cassa-sink (per T1-T4 IGBT)

Case-a dissipatore (per D1-D4 DIODE)

Caso-a-Radiatore (per D5, D6) DIODE)

Cassa-sink (per Modulo)

0.073

0.134

0.131

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

G

Peso di Modulo

340

g