GD200MLY120C2S, 3-livelli, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , 3-livelli ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Basse perdite di commutazione
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Fonte di alimentazione ininterrotta
Energia solare

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

T1-T4 IGBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C = 100O C	337 200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	400	A
P D	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C	1162	W

D1-D4 Diode

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1200	V
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	400	A

D5, D6 Diode

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1200	V
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	O C
V ISO	tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

T1-T4 IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.70	2.15	V
		Io C =200A,V GE = 15V, t j = 125 O C		1.95
		Io C =200A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =5.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.2	6.0	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
r Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			4.0		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		20.7		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.58		NF
Q g	Importo della porta	V GE - Sì. 15…+15V		1.55		μC
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C		150		NS
t r	Tempo di risalita			32		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			330		NS
t F	Tempo di caduta			93		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			11.2		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			11.3		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω,V GE =± 15V, t j = 125O C		161		NS
t r	Tempo di risalita			37		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			412		NS
t F	Tempo di caduta			165		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			19.8		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			17.0		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω,V GE =± 15V, t j = 150O C		161		NS
t r	Tempo di risalita			43		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			433		NS
t F	Tempo di caduta			185		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			21.9		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			19.1		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		800		A

D1-D4 Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.65	2.10	V
		Io F =200A,V GE =0V,T j = 125O C		1.65
		Io F =200A,V GE =0V,T j = 150O C		1.65
Q r	Importo recuperato	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C		17.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			228		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			7.7		mJ
Q r	Importo recuperato	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125 O C		31.8		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			238		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			13.8		mJ
Q r	Importo recuperato	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150 O C		36.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			247		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			15.2		mJ

D5, D6 Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.65	2.10	V
		Io F =200A,V GE =0V,T j = 125O C		1.65
		Io F =200A,V GE =0V,T j = 150O C		1.65
Q r	Importo recuperato	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C		17.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			228		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			7.7		mJ
Q r	Importo recuperato	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125 O C		31.8		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			238		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			13.8		mJ
Q r	Importo recuperato	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150 O C		36.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			247		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			15.2		mJ

NTC Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
r 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
ΔR/R	Deviazione di r 100	t C = 100 O C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	r 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	Valore B	r 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	Valore B	r 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
r ilJC	Unione-Case (per T 1-T4 IGBT) Unione-Case (per D1-D4 Di odo) Unione-Case (per D5,D6 Dio di)			0.129 0.237 0.232	C/W
r thCH	Cassa-sink (per T1-T4 IGBT) Case-a dissipatore (per D1-D4 DIODE) Caso-a-Radiatore (per D5, D6) DIODE) Cassa-sink (per Modulo)		0.073 0.134 0.131 0.010		C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0
g	Peso di Modulo		340		g