Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C =65 O C

262

200

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

400

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T = 150 O C

1315

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

200

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

400

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

150

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +125

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =200A,V GE = 15V, t j = 25 O C

3.00

3.45

V

Io C =200A,V GE = 15V, t j = 125 O C

3.80

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C

4.5

5.4

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.3

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

13.0

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.85

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

2.10

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, r g =4.7Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C

87

NS

t r

Tempo di risalita

40

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

451

NS

t F

Tempo di caduta

63

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

6.8

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

11.9

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, r g =4.7Ω,V GE =± 15V, t j = 125O C

88

NS

t r

Tempo di risalita

44

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

483

NS

t F

Tempo di caduta

78

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

11.4

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

13.5

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 125 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1300

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =200A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.95

2.40

V

Io F =200A,V GE =0V,T j = 125 O C

2.00

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C

13.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

236

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

6.6

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125 O C

23.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

269

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

10.5

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

30

nH

r CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.35

mΩ

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.095

0.202

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.029

0.063

0.010

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

300

g