GD200HFU120C2S, Modulo IGBT, STARPOWER

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Applicazioni tipiche

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C =65 o C	262 200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	400	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T = 150 o C	1315	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1200	V
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	150	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +125	o C
T STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, T j = 25 o C		3.00	3.45	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, T j = 125 o C		3.80		V
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	4.5	5.4	6.5	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.3		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		13.0		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.85		nF
Q G	Importo della porta	V GE - Sì. 15…+15V		2.10		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C		87		nS
t r	Tempo di risalita			40		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			451		nS
t f	Tempo di caduta			63		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			6.8		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			11.9		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =± 15V, T j = 125o C		88		nS
t r	Tempo di risalita			44		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			483		nS
t f	Tempo di caduta			78		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			11.4		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			13.5		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE = 15V, T j = 125 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		1300		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.95	2.40	V
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A,V GE =0V,T j = 125 o C		2.00		V
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=4600A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C		13.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			236		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			6.6		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=4600A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125 o C		23.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			269		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			10.5		mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso			30	nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.35		mΩ
R ilJC	Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.095 0.202	C/W
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)		0.029 0.063 0.010		C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Peso di Modulo		300		g