Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 85 O C

294

200

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

400

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C

1056

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

200

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

400

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =200A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.90

2.35

V

Io C =200A,V GE = 15V, t j = 125O C

2.40

Io C =200A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.55

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =5.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

100

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

3.75

Ω

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, r g =0.75Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C

374

NS

t r

Tempo di risalita

50

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

326

NS

t F

Tempo di caduta

204

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

13.8

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

10.4

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, r g =0.75Ω,V GE =± 15V, t j = 125O C

419

NS

t r

Tempo di risalita

63

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

383

NS

t F

Tempo di caduta

218

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

20.8

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

11.9

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =200A, r g =0.75Ω,V GE =± 15V, t j = 150O C

419

NS

t r

Tempo di risalita

65

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

388

NS

t F

Tempo di caduta

222

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

22.9

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

11.9

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =200A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.90

2.35

V

Io F =200A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Io F =200A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C

10.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

90

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

3.40

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125O C

26.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

132

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

9.75

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150O C

30.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

142

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

11.3

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

26

nH

r CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.62

mΩ

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.142

0.202

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.157

0.223

0.046

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

200

g