GD200FFY120C6S, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Basse perdite di cambio
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Fonte di alimentazione ininterrotta
Calore induttivo
Macchine per saldatura

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C = 100o C	309 200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	400	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T = 175 o C	1006	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1200	V
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valori	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.70	2.15	V
		Io C =200A,V GE = 15V, T j = 125 o C		1.95
		Io C =200A,V GE = 15V, T j = 150 o C		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.2	6.0	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			4.0		ω
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C		150		nS
t r	Tempo di risalita			32		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			330		nS
t f	Tempo di caduta			93		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			11.2		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			11.3		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 125o C		161		nS
t r	Tempo di risalita			37		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			412		nS
t f	Tempo di caduta			165		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			19.8		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			17.0		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =± 15V, T j = 150o C		161		nS
t r	Tempo di risalita			43		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			433		nS
t f	Tempo di caduta			185		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			21.9		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			19.1		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.65	2.10	V
		Io F =200A,V GE =0V,T j = 125o C		1.65
		Io F =200A,V GE =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C		17.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			228		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			7.7		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125 o C		31.8		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			238		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			13.8		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 150 o C		36.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			247		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			15.2		mJ

NTC Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
δR/R	Deviazione di R 100	T C = 100 o C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza Dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		21		nH
R CC+EE	Resistenza di contatto del modulo e, Terminale a Chip		1.80		mΩ
R ilJC	Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.149 0.206	C/W
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		0.031 0.043 0.009		C/W
M	Fabbricazione di dispositivi di controllo:	3.0		6.0	N.M
G	Peso di Modulo		300		g