GD200FFY120C6S, Modulo IGBT, STARPOWER

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Applicazioni tipiche

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C = 100O C	309 200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	400	A
P D	Dissipation di potenza massima @ T = 175 O C	1006	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1200	V
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	O C
V ISO	tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.70	2.15	V
		Io C =200A,V GE = 15V, t j = 125 O C		1.95
		Io C =200A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =5.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.2	6.0	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
r Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			4.0		Ω
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C		150		NS
t r	Tempo di risalita			32		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			330		NS
t F	Tempo di caduta			93		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			11.2		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			11.3		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω,V GE =± 15V, t j = 125O C		161		NS
t r	Tempo di risalita			37		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			412		NS
t F	Tempo di caduta			165		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			19.8		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			17.0		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, r g = 1. 1Ω,V GE =± 15V, t j = 150O C		161		NS
t r	Tempo di risalita			43		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			433		NS
t F	Tempo di caduta			185		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			21.9		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			19.1		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.65	2.10	V
		Io F =200A,V GE =0V,T j = 125O C		1.65
		Io F =200A,V GE =0V,T j = 150O C		1.65
Q r	Importo recuperato	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C		17.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			228		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			7.7		mJ
Q r	Importo recuperato	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125 O C		31.8		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			238		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			13.8		mJ
Q r	Importo recuperato	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150 O C		36.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			247		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			15.2		mJ

NTC Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		21		nH
r CC+EE	Resistenza di contatto del modulo e, Terminale a Chip		1.80		mΩ
r ilJC	Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.149 0.206	C/W
r thCH	Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		0.031 0.043 0.009		C/W
m	Fabbricazione di dispositivi di controllo:	3.0		6.0	N.M
g	Peso di Modulo		300		g