GD200CEX120C8SN, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 200A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C	363 200	A
Io CRM	Ripetitiva Pico Collettore corrente tp limitata Di t vjop	400	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T Vj = 175 O C	1293	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1200	V
Io F	Corrente continua in avanti del diodo ent	200	A
Io MF	Ripetitiva Pico In avanti corrente tp limitata Di t vjop	400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
t vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =200A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C		1.75	2.20	V
		Io C =200A,V GE = 15V, t Vj = 125 O C		2.00
		Io C =200A,V GE = 15V, t Vj = 150 O C		2.05
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =8.0 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.0		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		18.6		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.52		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		1.40		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T Vj = 25 O C		140		NS
t R	Tempo di risalita			31		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			239		NS
t F	Tempo di caduta			188		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			11.2		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			13.4		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T Vj = 125 O C		146		NS
t R	Tempo di risalita			36		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			284		NS
t F	Tempo di caduta			284		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			19.4		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			18.9		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T Vj = 150 O C		148		NS
t R	Tempo di risalita			37		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			294		NS
t F	Tempo di caduta			303		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			21.7		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			19.8		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t Vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =200A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		Io F =200A,V GE =0V,T Vj = 125 O C		1.90
		Io F =200A,V GE =0V,T Vj = 150 O C		1.95
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=5710A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, t Vj = 25 O C		20.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			220		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			7.5		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=4740A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, t Vj = 125 O C		34.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			209		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			12.9		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=4400A⁄μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, t Vj = 150 O C		38.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			204		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			14.6		mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
R ilJC	Giunti -To -caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)			0.116 0.185	C/W
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		0.150 0.239 0.046		C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vattone M5	2.5 2.5		3.5 3.5	N.M
g	Peso di Modulo		200		g