GD150HFX170C1S, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1700V 150A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C = 95 O C	229 150	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	300	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C	815	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1700	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	150	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	300	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min	4000	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =150A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.85	2.30	V
		Io C =150A,V GE = 15V, t j = 125 O C		2.25
		Io C =150A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =6.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza interna della porta			5.0		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		18.1		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.44		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		1.41		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =150A, R g =3.3Ω,V GE =± 15V, L s =70 nH , t j = 25 O C		303		NS
t R	Tempo di risalita			75		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			417		NS
t F	Tempo di caduta			352		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			42.3		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			25.3		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =150A, R g =3.3Ω,V GE =± 15V, L s =70 nH ,t j = 125 O C		323		NS
t R	Tempo di risalita			88		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			479		NS
t F	Tempo di caduta			509		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			58.9		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			34.9		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =150A, R g =3.3Ω,V GE =± 15V, L s =70 nH ,t j = 150 O C		327		NS
t R	Tempo di risalita			90		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			498		NS
t F	Tempo di caduta			608		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			65.6		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			40.2		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		600		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =150A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.80	2.25	V
		Io F =150A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		Io F =150A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =150A, -di/dt=1510A/μs,V GE = 15V L s =70 nH , t j = 25 O C		26.2		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			131		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			21.6		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =150A, -di/dt=1280A/μs,V GE = 15V L s =70nH, T j = 125 O C		48.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			140		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			40.1		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =150A, -di/dt=1240A/μs,V GE = 15V L s =70nH, T j = 150 O C		52.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			142		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			42.5		mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso			30	nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.65		mΩ
R ilJC	Giunti -To -caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)			0.184 0.368	C/W
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		0.150 0.300 0.050		C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Peso di Modulo		150		g