GD150HFU120C2SD, Modulo IGBT, STARPOWER

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 150A. - Sì.

Caratteristiche

Applicazioni tipiche

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C = 85 O C	241 150	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	300	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T Vj = 150 O C	1262	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	150	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	300	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t vjmax	Temperatura massima di giunzione	150	O C
t vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +125	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =150A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C		2.90	3.35	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =150A,V GE = 15V, t Vj = 125 O C		3.60		V
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =3.0 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C	5.0	6.1	7.0	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.50		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V		19.2		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V		0.60		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15...+15V		1.83		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =150A, R g =6.8Ω, Ls=48nH, V GE = ± 15V,T Vj = 25 O C		74		NS
t R	Tempo di risalita			92		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			401		NS
t F	Tempo di caduta			31		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			19.0		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			3.09		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =150A, R g =6.8Ω, Ls=48nH, V GE = ± 15V,T Vj = 125 O C		61		NS
t R	Tempo di risalita			95		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			444		NS
t F	Tempo di caduta			47		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			22.5		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			3.99		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t Vj = 125 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		975		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =150A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.85	2.30	V
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =150A,V GE =0V,T Vj = 125 O C		1.90		V
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =150A, -di⁄dt=1480A⁄μs,V GE = 15 V, LS = 48 nH ,t Vj = 25 O C		13.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			91		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			4.01		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =150A, -di⁄dt=1560A⁄μs,V GE = 15 V, LS = 48 nH ,t Vj = 125 O C		22.1		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			111		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			6.65		mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso			30	nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.35		mΩ
R ilJC	Giunti -To -caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)			0.099 0.259	C/W
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		0.028 0.072 0.010		C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Peso di Modulo		300		g