GD2400SGX170C4S,Modulo IGBT,Modulo IGBT ad alta corrente,STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1 700V 1200A ,A3 .

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra base in AlSiC per capacità di ciclo ad alta potenza
substrato AlN per bassa resistenza termica CE

Applicazioni tipiche

Motori a inverter alternativi
Forniture di alimentazione in modalità di commutazione
Saldatrici elettroniche

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C	2206 1200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	2400	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C	8.77	kw

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1700	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	1200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	2400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min	4000	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =1200A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.85	2.20	V
		Io C =1200A,V GE = 15V, t j = 125 O C		2.25
		Io C =1200A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =48,0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza interna della porta			1.0		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		145		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		3.51		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		11.3		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C = 1200A, R g =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L s =65 nH ,t j = 25 O C		440		NS
t R	Tempo di risalita			112		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1200		NS
t F	Tempo di caduta			317		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			271		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			295		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C = 1200A, R g =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L s =65 nH ,t j = 125 O C		542		NS
t R	Tempo di risalita			153		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1657		NS
t F	Tempo di caduta			385		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			513		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			347		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C = 1200A, R g =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L s =65 nH ,t j = 150 O C		547		NS
t R	Tempo di risalita			165		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1695		NS
t F	Tempo di caduta			407		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			573		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			389		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		4800		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =1200A,V GE =0V, t j =25℃		1.80	2.25	V
		Io F =1200A,V GE =0V, t j =125℃		1.90
		Io F =1200A,V GE =0V, t j =150℃		1.95
Q R	Importo recuperato	V CC =900V,I F = 1200A, -di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, L s =65nH,T j =25℃		190		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			844		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			192		mJ
Q R	Importo recuperato	V CC =900V,I F = 1200A, -di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, L s =65nH,T j =125℃		327		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			1094		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			263		mJ
Q R	Importo recuperato	V CC =900V,I F = 1200A, -di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, L s =65nH,T j =150℃		368		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			1111		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			275		mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		12		nH
R CC+EE	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip		0.19		mΩ
R ilJC	Giunti -To -caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)			17.1 26.2	K/kW
R thCH	caso -To -Dissipatore di Calore (perIGBT )Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)		9.9 15.2 6.0		K/kW
m	Terminale di alimentazione Vite:M4 Terminale di alimentazione Vite:M8 Fabbricazione di dispositivi di controllo:	1.8 8.0 4.25		2.1 10.0 5.75	N.M
g	Peso di Modulo		1050		g