GD2400SGX170C4S,Modulo IGBT,Modulo IGBT ad alta corrente,STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da STARPOWER. 1 700V 1200A ,A3 .

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Convertitori ad alta potenza
Azionamenti per motori
Turbine Eoliche

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C	1965 1200	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	2400	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T Vj = 175 O C	6.55	kw

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1700	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	1200	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	2400	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =1200A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C		1.85	2.30	V
		Io C =1200A,V GE = 15V, t Vj = 125 O C		2.25
		Io C =1200A,V GE = 15V, t Vj = 150 O C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =48,0 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.6		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		142		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		3.57		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		11.8		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C = 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V, L s =110nH,T Vj = 25 O C		700		NS
t R	Tempo di risalita			420		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1620		NS
t F	Tempo di caduta			231		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			616		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			419		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C = 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V, L s =110nH,T Vj = 125 O C		869		NS
t R	Tempo di risalita			495		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1976		NS
t F	Tempo di caduta			298		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			898		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			530		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C = 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V, L s =110nH,T Vj = 150 O C		941		NS
t R	Tempo di risalita			508		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			2128		NS
t F	Tempo di caduta			321		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			981		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			557		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t Vj = 150 O C ,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		4800		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =1200A,V GE =0V,T Vj = 25 O C		1.80	2.25	V
		Io F =1200A,V GE =0V,T Vj = 125 O C		1.90
		Io F =1200A,V GE =0V,T Vj = 150 O C		1.95
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F = 1200A, -di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, L s =110nH,T Vj = 25 O C		217		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			490		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			108		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F = 1200A, -di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, L s =110nH,T Vj = 125 O C		359		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			550		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			165		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F = 1200A, -di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, L s =110nH,T Vj = 150 O C		423		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			570		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			200		mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		20		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.37		mΩ
R ilJC	Giunti -To -caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)			22.9 44.2	K/kW
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		18.2 35.2 6.0		K/kW
m	Torsione di connessione terminale, Vite M4 Torsione di connessione terminale, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.M
g	Peso di Modulo		1500		g