Modulo IGBT 1200V

GD100PIX120C6SNA, Modulo IGBT, STARPOWER

GD100PIX120C6SNA, Modulo IGBT, STARPOWER

1200V 150A, imballaggio: C6

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD100PIX120C6SNA

Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 100A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT-inverter

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C	155 100	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	200	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C	511	W

DIOD-inverter

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	100	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	200	A

Diode-rettificatrice

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1600	V
Io O	Corrente di uscita media 5 0Hz/60Hz, onda sinusoidale	100	A
Io FSM	Corrente di Surge in Avanti t P =10ms @ T j = 25O C @ T j = 150 O C	1150 880	A
Io 2t	Io 2Valore t, t P =10ms @ T j = 25 O C @ T j = 150 O C	6600 3850	A 2s

IGBT-freno

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C	87 50	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	100	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C	308	W

Diodo -Freno

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	25	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	50	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t jmax	Temperatura Massima del Giunzione (inverter, freno) Temperatura massima della giunzione (rettificatore)	175 150	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT -Inverter Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =100A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.70	2.15	V
		Io C =100A,V GE = 15V, t j = 125 O C		1.95
		Io C =100A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =4.00 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			7.5		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		10.4		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.29		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		0.78		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C		218		NS
t R	Tempo di risalita			35		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			287		NS
t F	Tempo di caduta			212		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			9.23		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			6.85		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V GE =± 15V, t j = 125 O C		242		NS
t R	Tempo di risalita			41		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			352		NS
t F	Tempo di caduta			323		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			13.6		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			9.95		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =100A, R g = 1,6Ω,V GE =± 15V, t j = 150 O C		248		NS
t R	Tempo di risalita			43		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			365		NS
t F	Tempo di caduta			333		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			14.9		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			10.5		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		400		A

Diodo -Inverter Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =100A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.85	2.30	V
		Io F =100A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		Io F =100A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =100A, -di/dt=2500A/μs,V GE = 15V t j = 25 O C		5.89		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			103		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			3.85		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =100A, -di/dt=2100A/μs,V GE = 15V t j = 125 O C		13.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			109		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			6.64		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =100A, -di/dt=1950A/μs,V GE = 15V t j = 150 O C		15.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			109		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			7.39		mJ

Diodo -raddrizzatore Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =100A, t j = 150 O C		0.95		V
Io R	Corrente inversa	t j = 150 O C,V R =1600V			2.0	mA

IGBT -Freno Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =50A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.70	2.15	V
		Io C =50A,V GE = 15V, t j = 125 O C		1.95
		Io C =50A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.00
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =2.00 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza interna della porta			0		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		5.18		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.15		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		0.39		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =50A, R g =15Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C		171		NS
t R	Tempo di risalita			32		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			340		NS
t F	Tempo di caduta			82		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			6.10		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			2.88		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =50A, R g =15Ω,V GE =± 15V, t j = 125 O C		182		NS
t R	Tempo di risalita			43		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			443		NS
t F	Tempo di caduta			155		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			8.24		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			4.43		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =50A, R g =15Ω,V GE =± 15V, t j = 150 O C		182		NS
t R	Tempo di risalita			43		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			464		NS
t F	Tempo di caduta			175		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			8.99		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			4.94		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		200		A

Diodo -Freno Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =25A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.85	2.30	V
		Io F =25A,V GE =0V,T j = 125 O C		1.90
		Io F =25A,V GE =0V,T j = 150 O C		1.95
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =25A, -di/dt=900A/μs,V GE = 15V t j = 25 O C		2.9		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			55		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			0.93		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =25A, -di/dt=900A/μs,V GE = 15V t j = 125 O C		5.1		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			58		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			1.72		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =25A, -di/dt=900A/μs,V GE = 15V t j = 150 O C		5.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			60		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			2.01		mJ

NTC Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		40		nH
R CC+EE R AA + CC ’	Resistenza di Contatto del Modulo nce,Terminal to Chip		4.00 3.00		mΩ
R ilJC	Giunti -To -caso (perIGBT -Inverter ) Giunzione-Caso (per Diode-invert er) Giunzione-Caso (per Diode-rettificatore ) Giunti -To -caso (perIGBT -Freno -Chopper ) Unione-Caso (per Diode-freno-interruzione per)			0.293 0.505 0.503 0.487 1.233	C/W
R thCH	caso -To -Dissipatore di Calore (perIGBT -Inverter ) Caso-a-radiatore (per Diodo-in verter) Caso-Dissipatore di calore (per Diode-rettificatore) ) caso -To -Dissipatore di Calore (perIGBT -Freno -Chopper )Caso-a-radiatore (per Diodo-freno- tagliacorrente) Cassa-sink (per Modulo)		0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009		C/W
m	Torsione di montaggio Fabbricazione di prodotti di cui al punto 3.4.	3.0		6.0	N.M
g	Peso di Modulo		300		g