GD100PFX170C6SG, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1700V 100A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT-inverter

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C	161 100	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	200	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C	592	W

DIOD-inverter

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1700	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	100	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	200	A

Diode-rettificatrice

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1800	V
Io O	Corrente di uscita media 5 0Hz/60Hz, onda sinusoidale	100	A
Io FSM	Corrente di Surge in Avanti t P =10ms @ T j = 25O C @ T j = 150 O C	1600 1400	A
Io 2t	Io 2Valore t, t P =10ms @ T j = 25 O C @ T j = 150 O C	13000 9800	A 2s

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t jmax	Temperatura massima della giunzione (inverter) Temperatura massima della giunzione (rettificatore)	175 150	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -Inverter Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =100A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.85	2.20	V
		Io C =100A,V GE = 15V, t j = 125 O C		2.25
		Io C =100A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 4,0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza interna della porta			7.5		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		12.0		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.29		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		0.94		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =± 15V, L s =46 nH , t j = 25 O C		257		NS
t R	Tempo di risalita			47		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			377		NS
t F	Tempo di caduta			382		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			24.6		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			16.7		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =± 15V, L s =46nH, T j = 125 O C		284		NS
t R	Tempo di risalita			56		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			444		NS
t F	Tempo di caduta			555		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			34.9		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			23.1		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =± 15V, L s =46nH, T j = 150 O C		286		NS
t R	Tempo di risalita			60		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			465		NS
t F	Tempo di caduta			636		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			38.0		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			26.1		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		400		A

Diodo -Inverter Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =100A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.80	2.25	V
		Io F =100A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		Io F =100A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =100A, -di/dt=1590A/μs,V GE = 15V L s =46 nH , t j = 25 O C		13.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			107		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			8.79		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =100A, -di/dt=1300A/μs,V GE = 15V L s =46nH, T j = 125 O C		25.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			111		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			18.6		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =100A, -di/dt=1230A/μs,V GE = 15V L s =46nH, T j = 150 O C		28.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			112		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			20.4		mJ

Diodo -raddrizzatore Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io C =100A, t j = 150 O C		0.85		V
Io R	Corrente inversa	t j = 150 O C,V R =1800V			3.0	mA

NTC Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
R ilJC	Giunti -To -caso (perIGBT -Inverter ) Giunzione-a-Caratteristica (per invertitore DIODE er) Giunzione-Caso (per Diode-rettificatore )			0.253 0.424 0.289	C/W
R thCH	caso -To -Dissipatore di Calore (perIGBT -Inverter )Caso-Dissipatore di calore (per Diode-inverter) ) Caso-Dissipatore di calore (per Diode-rettificatore) ) Cassa-sink (per Modulo)		0.105 0.176 0.120 0.009		C/W
m	Torsione di montaggio Fabbricazione di prodotti di cui al punto 3.4.	3.0		6.0	N.M
g	Peso di Modulo		300		g