GD100HHU120C6SD, Modulo IGBT, STARPOWER

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 100A. - Sì.

Caratteristiche

Applicazioni tipiche

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =75 O C	146 100	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	200	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T Vj = 150 O C	771	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	100	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	200	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t vjmax	Temperatura massima di giunzione	150	O C
t vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +125	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min	2500	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =100A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C		3.00	3.45	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =100A,V GE = 15V, t Vj = 125 O C		3.80		V
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 4,0 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C	4.5	5.5	6.5	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.0		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		6.50		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.42		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15...+15V		1.10		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =100A, R g =9.1Ω,V GE =± 15V, LS = 48 nH ,t Vj = 25 O C		38		NS
t R	Tempo di risalita			50		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			330		NS
t F	Tempo di caduta			27		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			8.92		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			2.06		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =100A, R g =9.1Ω,V GE =± 15V, LS = 48 nH ,t Vj = 125 O C		37		NS
t R	Tempo di risalita			50		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			362		NS
t F	Tempo di caduta			43		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			10.7		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			3.69		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t Vj = 125 O C ,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		650		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =100A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.85	2.30	V
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =100A,V GE =0V,T Vj = 125 O C		1.90		V
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =100A, -di/dt=2245A/μs,V GE = 15V LS = 48 nH ,t Vj = 25 O C		11.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			101		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			4.08		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =100A, -di/dt=2352A/μs,V GE = 15V LS = 48 nH ,t Vj = 125 O C		19.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			120		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			7.47		mJ

NTC Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		21		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		2.60		mΩ
R ilJC	Giunti -To -caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)			0.162 0.401	C/W
R thCH	caso -To -Lavello (perIGBT ) Cassa-sink (per diodo) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		0.051 0.125 0.009		C/W
m	Torsione di montaggio Vite M6	3.0		6.0	N.M
g	Peso di Modulo		300		g