GD100HFX170C1S, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1700V 100A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C	173 112	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	200	A
P P	Massimo Potenza dissipazione @ t Vj = 175 O C	666	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1700	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	100	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	200	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min	4000	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =100A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C		1.85	2.20	V
		Io C =100A,V GE = 15V, t Vj = 125 O C		2.25
		Io C =100A,V GE = 15V, t Vj = 150 O C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 4,0 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza interna della porta			7.5		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		12.0		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.29		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15...+15V		0.94		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =± 15V, Ls=60nH, t Vj = 25 O C		272		NS
t R	Tempo di risalita			55		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			369		NS
t F	Tempo di caduta			389		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			28.2		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			16.4		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =± 15V, Ls=60nH, t Vj = 125 O C		296		NS
t R	Tempo di risalita			66		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			448		NS
t F	Tempo di caduta			576		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			40.1		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			24.1		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =100A, R g =4.7Ω,V GE =± 15V, Ls=60nH, t Vj = 150 O C		302		NS
t R	Tempo di risalita			69		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			463		NS
t F	Tempo di caduta			607		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			43.9		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			25.7		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t Vj = 150 O C ,V CC =1000V V CEM ≤1700V		400		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =100A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.80	2.25	V
		Io F =100A,V GE =0V,T Vj = 125 O C		1.90
		Io F =100A,V GE =0V,T Vj = 150 O C		1.95
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =100A, -di/dt=1290A/μs,V GE = 15V Ls=60nH, t Vj = 25 O C		23.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			85		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			11.5		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =100A, -di/dt=1020A/μs,V GE = 15V Ls=60nH, t Vj = 125 O C		36.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			88		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			18.1		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =100A, -di/dt=960A/μs,V GE = 15V Ls=60nH, t Vj = 150 O C		46.2		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			91		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			24.6		mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso			30	nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.65		mΩ
R ilJC	Giunti -To -caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.225 0.391	C/W
R thCH	caso -To -Dissipatore di Calore (perIGBT )Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)		0.158 0.274 0.050		C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Peso di Modulo		150		g