GD100HCX170C6SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C

196

100

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

200

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T Vj = 175 O C

815

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo Età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu Renta

100

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

200

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

O C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =100A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C

1.85

2.20

V

Io C =100A,V GE = 15V, t Vj = 125 O C

2.25

Io C =100A,V GE = 15V, t Vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =4.00 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C

400

NA

R Gint

Resistenza interna della porta

7.5

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

12.0

NF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.29

NF

Q g

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =100A, R g =1.0Ω,V GE =± 15V, LS =52 nH ,t Vj = 25 O C

196

NS

t R

Tempo di risalita

44

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

298

NS

t F

Tempo di caduta

367

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

26.4

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

14.7

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =100A, R g =1.0Ω,V GE =± 15V, LS =52 nH ,t Vj = 125 O C

217

NS

t R

Tempo di risalita

53

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

361

NS

t F

Tempo di caduta

516

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

36.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

21.0

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =100A, R g =1.0Ω,V GE =± 15V, LS =52 nH ,t Vj = 150 O C

223

NS

t R

Tempo di risalita

56

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

374

NS

t F

Tempo di caduta

551

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

39.1

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

22.4

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

t Vj = 150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

400

A

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

1.10

mΩ

R ilJC

Giunti -To -caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.184 0.274

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.060 0.090 0.009

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Peso di Modulo

350

g