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Breve introduzione
modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 750V 1000A ,P6 .
Caratteristiche
Applicazioni tipiche
Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo | Descrizione | Valori | unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 750 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ±20 | V |
Io CN | Collettore Cu implementato Renta | 1000 | A |
Io C | Corrente del collettore @ T F = 125 O C | 450 | A |
Io CM | Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms | 2000 | A |
P D | Massima dissipazione di potenza ation @ t F =75 O C t Vj = 175 O C | 1282 | W |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | Valori | unità |
V RRM | Volt inverso di picco ripetitivo Età | 750 | V |
Io FN | Collettore Cu implementato Renta | 1000 | A |
Io F | Diode Corrente continua in avanti Cu Renta | 450 | A |
Io FM | Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms | 2000 | A |
Modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
t vjmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | O C |
t vjop | Temperatura di funzionamento della giunzione continua Per 10 secondi all'interno di un periodo di 30 secondi, occorrenza massimo 3000 volte durante la durata della vita | -40 a +150 +150 a +175 | O C |
t STG | Intervallo di temperatura di conservazione | -40 a +125 | O C |
V ISO | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min | 2500 | V |
D Creep | Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale | 9.0 9.0 | mm |
D chiaro | Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale | 4.5 4.5 | mm |
IGBT Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità | ||||||||
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C = 450 A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C |
| 1.10 | 1.35 |
V | ||||||||
Io C = 450 A,V GE = 15V, t Vj = 150 O C |
| 1.10 |
| |||||||||||
Io C = 450 A,V GE = 15V, t Vj = 175 O C |
| 1.10 |
| |||||||||||
Io C =1000A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C |
| 1.40 |
| |||||||||||
Io C =1000A,V GE = 15V, t Vj = 175 O C |
| 1.60 |
| |||||||||||
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C =12.9 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C | 5.5 | 6.4 | 7.0 | V | ||||||||
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C |
|
| 1.0 | mA | ||||||||
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C |
|
| 400 | NA | ||||||||
r Gint | Resistenza interna della porta |
|
| 1.2 |
| Ω | ||||||||
C ies | Capacità di ingresso |
V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V |
| 66.7 |
| NF | ||||||||
C - Non | Capacità di uscita |
| 1.50 |
| NF | |||||||||
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 0.35 |
| NF | |||||||||
Q g | Importo della porta | V CE =400V,I C = 450A, V GE =-15...+15V |
| 4.74 |
| μC | ||||||||
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC =400V,I C = 450A, r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V, L s =24nH, T Vj = 25 O C |
| 244 |
| NS | ||||||||
t r | Tempo di risalita |
| 61 |
| NS | |||||||||
t d ((off) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 557 |
| NS | |||||||||
t F | Tempo di caduta |
| 133 |
| NS | |||||||||
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 11.0 |
| mJ | |||||||||
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 22.8 |
| mJ | |||||||||
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC =400V,I C = 450A, r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V, L s =24nH, T Vj = 150 O C |
| 260 |
| NS | ||||||||
t r | Tempo di risalita |
| 68 |
| NS | |||||||||
t d ((off) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 636 |
| NS | |||||||||
t F | Tempo di caduta |
| 226 |
| NS | |||||||||
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 16.9 |
| mJ | |||||||||
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 32.2 |
| mJ | |||||||||
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC =400V,I C = 450A, r Gon =1.2Ω, r Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V, L s =24nH, T Vj = 175 O C |
| 264 |
| NS | ||||||||
t r | Tempo di risalita |
| 70 |
| NS | |||||||||
t d ((off) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 673 |
| NS | |||||||||
t F | Tempo di caduta |
| 239 |
| NS | |||||||||
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 19.2 |
| mJ | |||||||||
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 33.6 |
| mJ | |||||||||
Io SC | Dati SC | t P ≤6μs, V GE = 15V, t Vj = 25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V |
| 4900 |
| A | ||||||||
|
| t P ≤3μs, V GE = 15V, t Vj = 175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V |
|
3800 |
|
|
Diodo Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V F |
Diodo di avanzamento Tensione | Io F = 450 A,V GE =0V,T Vj =2 5O C |
| 1.40 | 1.65 |
V |
Io F = 450 A,V GE =0V,T Vj = 150 O C |
| 1.35 |
| |||
Io F = 450 A,V GE =0V,T Vj = 175 O C |
| 1.30 |
| |||
Io F =1000A,V GE =0V,T Vj = 25 O C |
| 1.80 |
| |||
Io F =1000A,V GE =0V,T Vj = 175 O C |
| 1.80 |
| |||
Q r | Importo recuperato |
V r =400V,I F = 450A, -di/dt=7809A/μs,V GE =-8V L s = 24 nH ,t Vj = 25 O C |
| 18.5 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 303 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 3.72 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato |
V r =400V,I F = 450A, -di/dt=6940A/μs,V GE =-8V L s = 24 nH ,t Vj = 150 O C |
| 36.1 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 376 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 8.09 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato |
V r =400V,I F = 450A, -di/dt=6748A/μs,V GE =-8V L s = 24 nH ,t Vj = 175 O C |
| 40.1 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 383 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 9.01 |
| mJ |
NTC Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
r 25 | Resistenza Nominale |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | Deviazione di r 100 | t C =100 O C ,R 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | Potenza dissipazione |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | Valore B | r 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
B 25/80 | Valore B | r 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
B 25/100 | Valore B | r 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
Modulo Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Min. | Tipo. | Max. | unità |
L CE | Induttanza di deflusso |
| 8 |
| nH |
r CC+EE | Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip |
| 0.75 |
| mΩ |
P | Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo t Piastra di base < 40 O C t Piastra di base > 40 O C (pressione relativa) |
|
| 2.5 2.0 |
bar |
r thJF | Giunti -To -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C |
| 0.068 0.105 | 0.078 0.120 | C/W |
m | Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4 | 3.6 1.8 |
| 4.4 2.2 | N.M |
g | Peso di Modulo |
| 750 |
| g |
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