GD1000HTA75P6HLT

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

750

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io CN

Collettore Cu implementato Renta

1000

A

Io C

Corrente del collettore @ T F = 125 O C

450

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

2000

A

P P

Massima dissipazione di potenza ation @ t F =75 O C t Vj = 175 O C

1282

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo Età

750

V

Io FN

Collettore Cu implementato Renta

1000

A

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu Renta

450

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

2000

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione continua

Per 10 secondi all'interno di un periodo di 30 secondi, occorrenza massimo 3000 volte durante la durata della vita

-40 a +150 +150 a +175

O C

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

P Creep

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

9.0 9.0

mm

P chiaro

Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale

4.5 4.5

mm

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C = 450 A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C

1.10

1.35

V

Io C = 450 A,V GE = 15V, t Vj = 150 O C

1.10

Io C = 450 A,V GE = 15V, t Vj = 175 O C

1.10

Io C =1000A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C

1.40

Io C =1000A,V GE = 15V, t Vj = 175 O C

1.60

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =12.9 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C

5.5

6.4

7.0

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C

400

NA

R Gint

Resistenza interna della porta

1.2

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

NF

C - Non

Capacità di uscita

1.50

NF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.35

NF

Q g

Importo della porta

V CE =400V,I C = 450A, V GE =-15...+15V

4.74

μC

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 450A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj = 25 O C

244

NS

t R

Tempo di risalita

61

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

557

NS

t F

Tempo di caduta

133

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

11.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

22.8

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 450A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj = 150 O C

260

NS

t R

Tempo di risalita

68

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

636

NS

t F

Tempo di caduta

226

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

16.9

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

32.2

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =400V,I C = 450A,

R Gon =1.2Ω, R Goff =1,0Ω, V GE =-8V/+15V,

L s =24nH, T Vj = 175 O C

264

NS

t R

Tempo di risalita

70

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

673

NS

t F

Tempo di caduta

239

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

19.2

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

33.6

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

t Vj = 25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P ≤3μs, V GE = 15V,

t Vj = 175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F = 450 A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.40

1.65

V

Io F = 450 A,V GE =0V,T Vj = 150 O C

1.35

Io F = 450 A,V GE =0V,T Vj = 175 O C

1.30

Io F =1000A,V GE =0V,T Vj = 25 O C

1.80

Io F =1000A,V GE =0V,T Vj = 175 O C

1.80

Q R

Importo recuperato

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=7809A/μs,V GE =-8V L s = 24 nH ,t Vj = 25 O C

18.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

303

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

3.72

mJ

Q R

Importo recuperato

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=6940A/μs,V GE =-8V L s = 24 nH ,t Vj = 150 O C

36.1

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

376

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

8.09

mJ

Q R

Importo recuperato

V R =400V,I F = 450A,

-di/dt=6748A/μs,V GE =-8V L s = 24 nH ,t Vj = 175 O C

40.1

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

383

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

9.01

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

Valore B

R 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

Valore B

R 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

8

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.75

mΩ

P

Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo

t Piastra di base < 40 O C

t Piastra di base > 40 O C

(pressione relativa)

2.5 2.0

bar

R thJF

Giunti -To -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C

0.068 0.105

0.078 0.120

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

g

Peso di Modulo

750

g