Modulo diode, YMDBD1500-33 | I-03

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Valore

Unità

V RRM

Tensione ripetitiva

T C = 25 °C

3300

V

Io F

Corrente in avanti

CC

1500

A

Io MF

Corrente di picco in avanti

t P = 1 millisecondo

3000

A

Io FSM

Corrente di sovratensione

V R =0V, t P = 10ms, T vj = 25 °C

12000

A

Io 2t

Io 2t

Io 2t

V R =0V, t P = 10ms, T vj = 125 °C

720

kA 2s

V isolato

Isolamento tensione - per modulo

(Termini comuni per base piastra), AC RMS,1 min, 50Hz, T C = 25 °C

10200

V

Q PD

Parziale scarica - per modulo

IEC1287. V 1= 3500 V, V 2= 2600V, 50Hz

RMS ,T C = 25 °C

10

pC

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

Io RRM

Ripetizione inversa

corrente

V RM = V RRM

1

mA

V RM = V RRM , T C =150 °C

100

mA

V F

Voltaggio di avanzamento

Io F = 1500A

2.40

V

Io F = 1500A, T vj = 150 °C

2.80

V

Q r

Ritorno al recupero

carica

IF = 1500A,

VCC = 1800V,

RG ((ON) = 1,0Ω,

Cge=330nF,

LS=150nH,

- diF/dt = 4000A/μs,

(Tvj= 150 °C).

IGBT:

TIM1500ESM33-PSA011

T vj = 25 °C

1020

μC

T vj = 150 °C

1710

μC

Io r

Ritorno al recupero

corrente

T vj = 25 °C

1260

A

T vj = 150 °C

1450

A

E ricerca

Ritorno al recupero

energia

T vj = 25 °C

1.50

J

T vj = 150 °C

2.60

J