Tutte le Categorie

IGBT discreto

IGBT discreto

Pagina principale /  Prodotti  /  IGBT discreto

DG25X12T2, IGBT discreto, STARPOWER

1200V,25A

Brand:
Strumento di controllo
  • Introduzione
Introduzione

Promemoria :F o più IGBT discreto , per favore invia un'email.

Caratteristiche

  • Basso VCE(sat) Trincea IGBT Tecnologia
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • Basse perdite di commutazione
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • VCE (sat) Con positivo Temperatura coefficiente
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Pacchetto senza piombo

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 110O C

50

25

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P limitato da T jmax

100

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C

573

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Corrente continua in avanti del diodo @ T C = 110O C

25

A

Io FM

Diodo Massimo In avanti corrente t P limitata Di t jmax

100

A

Discreto

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +175

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-55 a +150

O C

t s

Temperatura di saldatura,1.6mm da cassa per 10s

260

O C

m

Torsione di montaggio Vite M3

0.6

N.M

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =25A, V GE = 15V,

t j = 25 O C

1.70

2.15

V

Io C =25A, V GE = 15V,

t j = 125 O C

1.95

Io C =25A, V GE = 15V,

t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =0.63 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

2.59

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.07

NF

Q g

Importo della porta

V GE =-15...+15V

0.19

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =25A, r g =20Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C

28

NS

t r

Tempo di risalita

17

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

196

NS

t F

Tempo di caduta

185

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

1.71

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

1.49

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =25A, r g =20Ω,V GE =± 15V, t j = 125 O C

28

NS

t r

Tempo di risalita

21

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

288

NS

t F

Tempo di caduta

216

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

2.57

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

2.21

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =25A, r g =20Ω,V GE =± 15V, t j = 150 O C

28

NS

t r

Tempo di risalita

22

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

309

NS

t F

Tempo di caduta

227

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

2.78

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

2.42

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

100

A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =25A,V GE =0V,T j = 25 O C

2.20

2.65

V

Io F =25A,V GE =0V,T j = 125O C

2.30

Io F =25A,V GE =0V,T j = 150O C

2.25

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V t j = 25 O C

1.43

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

34

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

0.75

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V t j = 125O C

2.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

42

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

1.61

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V GE = 15V t j = 150O C

2.6

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

44

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

2.10

mJ

Discreto Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.262

0.495

C/W

r thJA

Giunzione-a-ambiente

40

C/W

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà presto.
Email
Nome
Nome dell'azienda
Messaggio
0/1000

PRODOTTO CORRELATO

Hai domande su qualche prodotto?

Il nostro team di vendita professionale è in attesa della tua consulenza.
Puoi seguire la lista dei loro prodotti e fare qualsiasi domanda ti interessi.

Richiedi un preventivo

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà presto.
Email
Nome
Nome dell'azienda
Messaggio
0/1000