Diodo a recupero rapido

I_T(AV)

1061a)

v_RRM

4000V- Non lo so.4200V

4500V 5000V

Il simbolo

caratteristica

Condizioni di prova

Tj(°C)

valore

unità

Min

tipo

- Max

IF(AV)

Corrente media diretta

180°onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

TC=85°C

1061

a)

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

150

4000

5000

v

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a V_RRM

150

100

- Mamma!

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale semionda VR=0.6V_RRM

150

15

ca

I2t

I2t per coordinazione fusibile

1125

a)²s*10³

VFO

Voltaggio di soglia

150

1.73

v

rf

Resistenza di pendenza in avanti

0.51

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

ITM=1500A, F=24kN

25

3.50

v

IRM

Corrente di recupero inversa

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

150

330

a)

trr

Tempo di recupero inverso

10

μs

Qrr

tassa di recupero

1500

1800

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180°seno, raffreddato su entrambi i lati Forza di serraggio 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.005

Fm

Forza di montaggio

19

26

kn

Tvj

temperatura di giunzione

-40

150

°C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

160

°C

wt

peso

440

g

scheda

ZT50cT