Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD300SGU120C2S

Unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

VGES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Ic

Corrente Collettore @ TC=25℃

@ TC=80°C

440

300

A

MIC

Corrente Collettore Impulsata tp=1ms

600

A

IF

Corrente continua in avanti della diode @ TC=80℃

300

A

IFM

Corrente Massima in Avanti del Diodo tp=1ms

600

A

PD

Dissipazione di potenza massima @ Tj=150℃

2272

W

Tjmax

Temperatura massima di giunzione

150

℃

TSTG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

℃

VISO

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Torsione di montaggio

Vite del Terminale di Segnale:M4

1.1 a 2.0

Filtro di alimentazione:M6

2.5 a 5.0

N.M

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

3.0 a 5.0

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V ((BR) CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

Tj=25°C

1200

V

ICES

Interruzione del Collettore

corrente

VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25°C

5.0

mA

IGES

Corrente di perdita del portatore-emettitore

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

VGE (th)

Tensione di soglia del portale-emittente

IC=3.0mA,VCE=VGE, Tj=25℃

4.4

5.2

6.0

V

VCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC=300A,VGE=15V, Tj=25℃

3.10

3.55

V

IC=300A,VGE=15V, Tj=125℃

3.45

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =300A, r g =3.3Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 ℃

662

NS

t r

Tempo di risalita

142

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

633

NS

t F

Tempo di caduta

117

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

19.7

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

22.4

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =300A, r g =3.3Ω,

V GE =± 15V, t j = 125 ℃

660

NS

t r

Tempo di risalita

143

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

665

NS

t F

Tempo di caduta

137

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

24.9

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

28.4

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 30V, f=1MHz,

V GE =0V

25.3

NF

C - Non

Capacità di uscita

2.25

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.91

NF

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

t j = 125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

2550

A

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.18

mΩ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =300A

t j = 25 ℃

1.82

2.25

V

t j = 125 ℃

1.95

Q r

Ricostruito

carica

Io F =300A,

V r = 600V,

r g =3.3Ω,

V GE = 15V

t j = 25 ℃

29.5

μC

t j = 125 ℃

42.3

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

t j = 25 ℃

210

A

t j = 125 ℃

272

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

16.4

mJ

t j = 125 ℃

22.7

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

0.055

C/W

r θ JC

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.092

C/W

r θ CS

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)

0.035

C/W

Peso

Peso Modulo

300

g