Brochure del prodotto:SCARICA
IT(AV) |
1000A |
VDRM, VRRM |
8000V 8500V |
Caratteristiche :
Applicazioni tipiche :
Il simbolo |
Caratteristica |
Condizioni di prova |
Tj(℃ ) |
valore |
unità |
|||
min |
TIPO |
max |
||||||
IT(AV) |
Corrente media in stato di accensione |
180° mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato su entrambi i lati |
TC=70 ℃ |
115 |
|
|
1000 |
A |
Idrm Irrm |
Corrente di picco ripetitiva |
a VDRM tp= 10ms a VRRM tp= 10ms |
115 |
|
|
600 |
mA |
|
ITSM |
Corrente di sovratensione in stato di accensione |
10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM |
115 |
|
|
10.5 |
kA |
|
I2t |
I2t per coordinazione fusibile |
|
|
551 |
103A2s |
|||
VTO |
Voltaggio di soglia |
|
115 |
|
|
1.38 |
V |
|
rT |
Resistenza di pendenza in stato di accensione |
|
|
0.90 |
mΩ |
|||
VTM |
Tensione di picco in stato di accensione |
ITM= 1500A, F=32kN |
25 |
|
|
2.80 |
V |
|
dv/dt |
Tasso critico di aumento della tensione in stato di off |
VDM=0.67VDRM |
115 |
|
|
2000 |
V/μs |
|
di/dt |
Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento |
VDM=67%VDRM, Impulso di gate tr ≤0.5μs IGM= 1.5A |
115 |
|
|
200 |
A/μs |
|
Qrr |
tassa di recupero |
ITM=2000A,tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V |
115 |
|
3800 |
|
μC |
|
IGT |
Corrente di attivazione del gate |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
40 |
|
300 |
mA |
|
Vgt |
Tensione di attivazione del gate |
0.8 |
|
3.0 |
V |
|||
IH |
Corrente di mantenimento |
25 |
|
200 |
mA |
|||
VGD |
Tensione di gate non attivata |
VDM=67%VDRM |
115 |
|
|
0.3 |
V |
|
Rth(j-c) |
Resistenza termica Giunzione a custodia |
Raffreddamento doppio a immersione Forza di serraggio 32kN |
|
|
|
0.011 |
℃ /W |
|
Rth(c-h) |
Resistenza termica case a dissipatore |
|
|
|
0.003 |
|||
FM |
Forza di montaggio |
|
|
27 |
32 |
34 |
kN |
|
Tvj |
temperatura di giunzione |
|
|
-40 |
|
115 |
℃ |
|
TSTG |
Temperatura di immagazzinamento |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
|
Wt |
Peso |
|
|
|
1140 |
|
g |
|
Outline |
KT60dT |
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