Diodo rettificatore

I_T(AV)

900a)

v_RRM

8100V- Non lo so.8300V

8500V

Il simbolo

caratteristica

Condizioni di prova

Tj(°C)

valore

unità

Min

tipo

- Max

IF(AV)

Corrente media diretta

180°mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato su entrambi i lati

TC=85°C

150

900

a)

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

150

8000

8500

v

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM tp=10ms

150

200

- Mamma!

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale semplificata. VR=0.6VRRM

150

10

ca

I2t

I2t per coordinazione fusibile

500

10³a)²s

VFO

Voltaggio di soglia

150

1.00

v

rf

Resistenza di pendenza in avanti

1.00

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

IFM=1500A, F=24kN

25

2.60

v

Qrr

tassa di recupero

IFM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

4000

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180°seno. raffreddato su entrambi i lati Forza di serraggio 24kN

0.022

°C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

0.005

Fm

Forza di montaggio

19

26

kn

Tvj

temperatura di giunzione

-40

150

°C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

160

°C

wt

peso

560

g

scheda

ZT50dT