H50ZPU, Diodo Rettificatore

Io _T(AV)

900A

V _RRM

8100V 8300V

8500V

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

valore

unità

min

TIPO

max

IF(AV)

Corrente media diretta

180° mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato su entrambi i lati

TC=85 ℃

150

900

A

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

150

8000

8500

V

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM tp=10ms

150

200

mA

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale semplificata. VR=0.6VRRM

150

10

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

500

10³A ²s

VFO

Voltaggio di soglia

150

1.00

V

rF

Resistenza di pendenza in avanti

1.00

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

IFM=1500A, F=24kN

25

2.60

V

Qrr

tassa di recupero

IFM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

4000

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180 ° seno. raffreddato su entrambi i lati Forza di serraggio 24kN

0.022

℃ /W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

0.005

FM

Forza di montaggio

19

26

kN

Tvj

temperatura di giunzione

-40

150

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

160

℃

Wt

Peso

560

g

Outline

ZT50dT