Tiristore di Controllo Bi-Direzionale

IT(AV)

175a)

VDRM, VRRM

5600V   6000V

di potenza superiore a 600 V

Il simbolo

caratteristica

Condizioni di prova

Tj(°C)

valore

unità

Min

tipo

- Max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180°mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato su entrambi i lati

TC=70。c

125

175

a)

IT(RMS)F

Corrente RMS (onda sinusoidale)

Onda sinusoidale 50Hz

Raffreddato su entrambi i lati

385

a)

VDRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

125

5600

6500

v

IDRM

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM

125

100

- Mamma!

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

125

1.7

ca

I2t

I2t per coordinazione fusibile

14.5

103A2s

VTO

Voltaggio di soglia

125

1.10

v

rt

Resistenza di pendenza in stato di accensione

2.30

mΩ

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=500A, F= 15kN

25

3.50

v

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=0.67VDRM

125

200

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

VDM= 67%VDRM a 1000A,

Impulso di gate tr ≤0.5μs IGM= 1.5A Ripetitivo

125

100

A/μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA= 12V, IA= 1A

25

20

200

- Mamma!

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.8

2.5

v

IH

Corrente di mantenimento

20

150

- Mamma!

Il

Corrente di aggancio

500

- Mamma!

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato su entrambi i lati    Forza di serraggio 15kN

0.045

°C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.008

Fm

Forza di montaggio

10

20

kn

Tvj

temperatura di giunzione

-40

125

。c

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

140

。c

wt

peso

300

g

scheda

KS33dT