Diode à récupération rapide

Je _T(AV)

1208Une

V. Le groupe _RRM

2200V 2500V

2800V 3000V

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

valeur

unité

min

Type

max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,

TC=85 ℃

150

1208

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

2100

3000

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à V _RRM

150

100

Le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale VR=0.6V _RRM

150

16

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

1280

Une ²s*10 ³

VFO

Voltage de seuil

150

1.62

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

0.36

mΩ

VFM

Tension directe de crête

Les mesures de sécurité doivent être prises en fonction des exigences de la norme ISO.

25

2.80

V. Le groupe

MRI

Courant de récupération inverse

Les capacités de décharge doivent être calculées en fonction des niveaux de tension de l'appareil.

150

166

Une

le

Temps de récupération inverse

7

μs

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

500

650

µC

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° force de serrage sinusoïdale doublement refroidie 24 kN

0.020

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur

0.005

FM

Force de montage

19

26

kN

Tvj

température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

440

g

Le schéma

ZT50cT