1700 400A
Introduction brève
Module IGBT , produit par STARPOWER. 1700V 400A.
Caractéristiques
Applications Typiques
L'IGBT t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté
Valeurs maximales nominales
Le symbole | Description | Les données de référence doivent être fournies par les autorités compétentes. | Unités |
V. Le groupe Le CES | Tension Collecteur-Émetteur @ T j = 25 ℃ | 1700 | V. Le groupe |
V. Le groupe GES | Voltage de l'émetteur de la porte | ± 20 | V. Le groupe |
Je C | Courant collecteur @ T C = 25℃ @ T C = 80 ℃ | 650 400 | Une |
Je cm | Courant collecteur pulsé t P =1ms | 800 | Une |
P tout | Dissipation totale de puissance @ T j = 150℃ | 2403 | Le |
t SC | Courtoisie résiste au temps @ T j = 150 ℃ | 10 | μs |
Caractéristiques hors
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
V. Le groupe (BR )Le CES | Collecteur-Émetteur Tension de rupture | t j = 25 ℃ | 1700 |
|
| V. Le groupe |
Je Le CES | Le collecteur Coupe -Éteint Actuel | V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 3.0 | Le nombre de |
Je GES | Fuite de l'émetteur de la porte Actuel | V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | nA |
Caractéristiques à l'état passant
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
V. Le groupe Généralement générés (Le ) | seuil d'émetteur de porte tension | Je C = 16mA,V CE =V Généralement générés , t j = 25 ℃ | 5.2 | 5.8 | 6.4 | V. Le groupe |
V. Le groupe CE (sat) |
Collecteur à émetteur Voltage de saturation | Je C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃ |
| 2.00 | 2.45 |
V. Le groupe |
Je C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125℃ |
| 2.40 |
|
Caractéristiques de commutation
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités | ||
t d (sur ) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC = 900V,I C = 400A, r g =3.6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 ℃ |
| 278 |
| N.S. | ||
t r | Il est temps de monter. |
| 81 |
| N.S. | |||
t d (Éteint ) | Débranchement Temps de retard |
| 802 |
| N.S. | |||
t F | Temps d'automne |
| 119 |
| N.S. | |||
E. Je suis désolé. sur | On le met en marche Perte de changement |
| 104 |
| Je suis désolé. | |||
E. Je suis désolé. Éteint | Perte de commutation à l'arrêt |
| 86 |
| Je suis désolé. | |||
t d (sur ) | Temps de retard d'activation | V. Le groupe CC = 900V,I C = 400A, r g =3.6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125℃ |
| 302 |
| N.S. | ||
t r | Il est temps de monter. |
| 99 |
| N.S. | |||
t d (Éteint ) | Débranchement Temps de retard |
| 1002 |
| N.S. | |||
t F | Temps d'automne |
| 198 |
| N.S. | |||
E. Je suis désolé. sur | On le met en marche Le changement Perte de | V. Le groupe CC = 900V,I C = 400A, r g =3.6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125℃ |
| 136 |
| Je suis désolé. | ||
E. Je suis désolé. Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 124 |
| Je suis désolé. | |||
C - Je vous en prie. | Capacité d'entrée |
V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V |
| 36 |
| PF | ||
C oes | Capacité de sortie |
| 1.5 |
| PF | |||
C rés | Transfert inverse Capacité |
| 1.2 |
| PF | |||
r Le gint | Résistance de porte interne Valeurs |
|
| 1.9 |
| Oh | ||
Je SC |
Données SC | t P ≤ 10μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃ ,V CC = un débit de tension de 1000 V, V. Le groupe MEC ≤ Unité de régulation |
|
1600 |
|
Une | ||
Diode t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté
Valeurs maximales nominales
Le symbole | Description | Les données de référence doivent être fournies par les autorités compétentes. | Unités |
V. Le groupe RRM | Tension de Recul de Crête Répétitive @ Tj=25 ℃ | 1700 | V. Le groupe |
Je F | Courant Direct de Polarisation @ T C = 80 ℃ | 100 | Une |
Je MFN | Courant de Polarisation de Crête Répétitif t P =1ms | 200 | Une |
Je 2t | Je 2valeur-t,V r =0V,T P =1 0ms,T j = 125 ℃ | 1800 | Une 2s |
Valeurs caractéristiques
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités | |
V. Le groupe F | Diode vers l'avant tension | Je F = 100A,V Généralement générés =0V | t j = 25 ℃ |
| 1.80 | 2.20 | V. Le groupe |
t j = 125℃ |
| 1.90 |
| ||||
Q: Le numéro r | Diode à l'envers Frais de recouvrement |
Je F = 100A, V. Le groupe r =900V, di/dt=-2450A/μs, V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15V | t j = 25 ℃ |
| 29.0 |
| Le taux de décharge |
t j = 125℃ |
| 48.5 |
| ||||
Je RM | Pôle de diode Récupération Actuel | t j = 25 ℃ |
| 155 |
|
Une | |
t j = 125℃ |
| 165 |
| ||||
E. Je suis désolé. Réc | Récupération Énergie | t j = 25 ℃ |
| 15.5 |
| Je suis désolé. | |
t j = 125℃ |
| 27.5 |
| ||||
Module IGBT
Le symbole | Paramètre | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
V. Le groupe ISO | Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min |
| 2500 |
| V. Le groupe |
L CE | Inductivité de déplacement |
|
| 20 | NH |
r CC + EE ’ | Résistance de connexion du module, terminal au chip @ T C = 25 ℃ |
| 0.35 |
| M Oh |
r θ JC | Jonction-à-boîtier (inverter IGBT, par 1/2 Module le) |
|
| 0.052 |
Pour les produits de base |
Jonction-à-boîtier (DIODE-freinage-chopper par 1/2 Module) |
|
| 0.280 | ||
r θ CS | La graisse conductive est utilisée pour la fabrication de (voir le tableau ci-dessous). |
| 0.035 |
| Pour les produits de base |
t j | Température maximale de jonction |
| 150 |
| ℃ |
t GST | Plage de température de stockage | -40 |
| 125 | ℃ |
Montage Couple | Terminal de puissance Pour les appareils de type à moteur | 2.5 |
| 5.0 | N.m. |
Montage Pour les appareils de type à moteur | 3.0 |
| 5.0 | ||
g | Poids de Module |
| 300 |
| g |
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