GD900SGU120C3SN, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT 1200V

GD900SGU120C3SN,Module IGBT,STARPOWER

1200V 900A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Introduction
Le schéma

Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 900A.

Caractéristiques

Technologie IGBT NPT
10 μs Capab de court-circuit l'égalité
Faible pertes de changement
Robuste avec une performance ultra-rapide ance
V. Le groupe CE (assis ) avec positifs Température coefficient
Récupération inverse rapide et douce FWD antiparallèle
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

alimentation en mode commutation
Chauffage par induction
Soudeuse électronique

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 o C à moins Autrement Noté

L'IGBT

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 80 o C	1350 900	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1ms	1800	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j = 150 o C	7.40	KW

Diode

Le symbole	Description	valeur	unité
V. Le groupe RRM	Voltage inverse de pointe répétitif	1200	V. Le groupe
Je F	Diode à dérive continue le loyer	900	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	1800	Une

Module

Le symbole	Description	valeur	unité
t jmax	Température maximale de jonction	150	o C
t le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +125	o C
t GST	Température de stockage Autonomie	-40 à +125	o C
V. Le groupe ISO	Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= Une minute.	4000	V. Le groupe

L'IGBT Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C		2.90	3.35	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C		3.60		V. Le groupe
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte tension	Je C = 16,0 mA,V CE =V Généralement générés , T j = 25 o C	5.0	6.1	7.0	V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C			400	nA
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		53.1		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			3.40		NF
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15...+15V		8.56		Le taux de décharge
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C = 800A, r g = 1,3Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C		90		N.S.
t r	Il est temps de monter.			81		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			500		N.S.
t F	Temps d'automne			55		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			36.8		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			41.3		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C = 800A, r g = 1,3Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 125o C		115		N.S.
t r	Il est temps de monter.			92		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			550		N.S.
t F	Temps d'automne			66		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			52.5		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			59.4		Je suis désolé.
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 o C,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V		5200		Une

Diode Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F = 800 A, V Généralement générés =0V,T j = 25 o C		1.95	2.40	V. Le groupe
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F = 800 A, V Généralement générés =0V,T j = 125o C		1.95		V. Le groupe
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe CC = 900V,I F = 800A, -di/dt=9500A/μs,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 o C		56		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			550		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			38.7		Je suis désolé.
Q: Le numéro r	Charge récupérée	V. Le groupe CC = 900V,I F = 800A, -di/dt=9500A/μs,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125o C		148		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération			920		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie			91.8		Je suis désolé.

Module Caractéristiques t C = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	unité
L CE	Inductivité de déplacement		12		NH
r CC+EE	Module de résistance au plomb, Terminal au chip		0.19		mΩ
r θ JC	Les points de jonction (par IGB) T) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)			16.9 26.2	K/kW
r θ CS	Pour les appareils de type "IGBT" Pour les appareils de type "Sync"		19.7 30.6		K/kW
r θ CS	Casse à évier		6.0		K/kW
M	Le couple de connexion du terminal, Vire M4 Connexion Terminal Couple, Vire M8 Le couple de montage Vire M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.m.
g	Poids de Module		1500		g