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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD600SGL120C2S,Module IGBT,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD600SGL120C2S
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 600A.

Caractéristique

  • Technologie SPT+ IGBT avec faible VCE(sat)
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Variateurs de courant alternatif
  • Les sources d'alimentation en mode commutateur
  • Soudeurs électroniques à fSW jusqu'à 20 kHz

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Description

GD600SGL120C2S

Unités

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25

@ T C = 100

950

Une

600

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

1200

Une

Je F

Diode à courant continu vers l'avant

600

Une

Je FM

Diode à courbe avant maximale le loyer

1200

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175

3750

Le

t SC

Un court-circuit avec cette Le temps

10

μs

t jmax

Température maximale de jonction

175

t le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

t GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

Je 2valeur t, diode

V. Le groupe r =0V,t=10ms,T j = 125

74000

Une 2s

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V. Le groupe

Le couple de montage

Terminal de signal Vis:M4

1.1 à 2.0

Écrou de borne de puissance:M6

2,5 à 5.0

N.m.

Montage Pour les appareils de type à moteur

3.0 à 5.0

Poids

Poids de Module

300

g

Électrique Caractéristiques de L'IGBT TC = 25 à moins Autrement Noté

Caractéristiques hors

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe (BR )Le CES

Collecteur-Émetteur

Tension de rupture

t j = 25

1200

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte

Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25

400

nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte

tension

Je C =24 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25

5.0

6.2

7.0

V. Le groupe

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25

1.9

V. Le groupe

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125

2.1

Caractéristiques de commutation

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =600A, r g =3Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 25

200

N.S.

t r

Il est temps de monter.

62

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

510

N.S.

t F

Temps d'automne

V. Le groupe CC =600V,I C =600A, r g =3Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 25

60

N.S.

E. Je suis désolé. sur

Commutateur d'activation

Perte de

39

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

48

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =600A,

r g =3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125

210

N.S.

t r

Il est temps de monter.

65

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

600

N.S.

t F

Temps d'automne

75

N.S.

E. Je suis désolé. sur

Commutateur d'activation

Perte de

45

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

60

Je suis désolé.

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

41.0

NF

C oes

Capacité de sortie

3.1

NF

C rés

Transfert inverse

Capacité

2.0

NF

Je SC

Données SC

t s C 10μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ,

V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC Les autres

2600

Une

L CE

Inductivité de déplacement

20

NH

r CC + EE

Résistance de conduite du module e, Terminal au chip

t C = 25

0.18

M Oh

Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

tension

Je F =600A

t j = 25

1.8

2.4

V. Le groupe

t j = 125

1.9

2.5

Q: Le numéro r

Diode à l'envers

Frais de recouvrement

Je F =600A,

V. Le groupe r =600V,

di/dt=-6000A/μs, V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15V

t j = 25

65

Le taux de décharge

t j = 125

100

Je RM

Pôle de diode

Récupération Actuel

t j = 25

450

Une

t j = 125

510

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

t j = 25

35

Je suis désolé.

t j = 125

42

Caractéristique thermique ics

Le symbole

Paramètre

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

r θ JC

Les éléments de connexion doivent être en forme de boîtier. R module)

0.04

/W

r θ JC

Jonction-à-Boîtier (Partie Diode, par Modu le)

0.09

/W

r θ CS

La graisse conductive est utilisée pour la fabrication de (voir le tableau ci-dessous).

0.035

/W

Le schéma

image(6b521639e0).png

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