1200V 600A
Introduction brève
Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 600A.
Caractéristique
Applications Typiques
- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté
Le symbole | Description | GD600SGL120C2S | Unités |
V. Le groupe Le CES | Voltage du collecteur-émetteur | 1200 | V. Le groupe |
V. Le groupe GES | Voltage de l'émetteur de la porte | ± 20 | V. Le groupe |
Je C | Courant collecteur @ T C = 25℃ @ T C = 100℃ | 950 | Une |
600 | |||
Je cm | Courant collecteur pulsé t P =1ms | 1200 | Une |
Je F | Diode à courant continu vers l'avant | 600 | Une |
Je FM | Diode à courbe avant maximale le loyer | 1200 | Une |
P d | Puissance maximale Dissipation @ T j = 175℃ | 3750 | Le |
t SC | Un court-circuit avec cette Le temps | 10 | μs |
t jmax | Température maximale de jonction | 175 | ℃ |
t le jouet | Température de fonctionnement des jonctions | -40 à +150 | ℃ |
t GST | Plage de température de stockage | -40 à +125 | ℃ |
Je 2valeur t, diode | V. Le groupe r =0V,t=10ms,T j = 125 ℃ | 74000 | Une 2s |
V. Le groupe ISO | Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | V. Le groupe |
Le couple de montage | Terminal de signal Vis:M4 | 1.1 à 2.0 |
|
Écrou de borne de puissance:M6 | 2,5 à 5.0 | N.m. | |
Montage Pour les appareils de type à moteur | 3.0 à 5.0 |
| |
Poids | Poids de Module | 300 | g |
Électrique Caractéristiques de L'IGBT TC = 25 ℃ à moins Autrement Noté
Caractéristiques hors
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
V. Le groupe (BR )Le CES | Collecteur-Émetteur Tension de rupture | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| V. Le groupe |
Je Le CES | Le collecteur Coupe -Éteint Actuel | V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | Le nombre de |
Je GES | Fuite de l'émetteur de la porte Actuel | V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | nA |
Caractéristiques à l'état passant
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
V. Le groupe Généralement générés (Le ) | seuil d'émetteur de porte tension | Je C =24 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 ℃ | 5.0 | 6.2 | 7.0 | V. Le groupe |
V. Le groupe CE (sat) |
Collecteur à émetteur Voltage de saturation | Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃ |
| 1.9 |
|
V. Le groupe |
Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125℃ |
| 2.1 |
|
Caractéristiques de commutation
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
t d (sur ) | Temps de retard d'activation | V. Le groupe CC =600V,I C =600A, r g =3Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 ℃ |
| 200 |
| N.S. |
t r | Il est temps de monter. |
| 62 |
| N.S. | |
t d (Éteint ) | Débranchement Temps de retard |
| 510 |
| N.S. | |
t F | Temps d'automne |
V. Le groupe CC =600V,I C =600A, r g =3Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 ℃ |
| 60 |
| N.S. |
E. Je suis désolé. sur | Commutateur d'activation Perte de |
| 39 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé. Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 48 |
| Je suis désolé. | |
t d (sur ) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC =600V,I C =600A, r g =3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125℃ |
| 210 |
| N.S. |
t r | Il est temps de monter. |
| 65 |
| N.S. | |
t d (Éteint ) | Débranchement Temps de retard |
| 600 |
| N.S. | |
t F | Temps d'automne |
| 75 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé. sur | Commutateur d'activation Perte de |
| 45 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé. Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 60 |
| Je suis désolé. | |
C - Je vous en prie. | Capacité d'entrée |
V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V |
| 41.0 |
| NF |
C oes | Capacité de sortie |
| 3.1 |
| NF | |
C rés | Transfert inverse Capacité |
| 2.0 |
| NF | |
Je SC |
Données SC | t s C ≤ 10μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃ , V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤ Les autres |
|
2600 |
|
Une |
L CE | Inductivité de déplacement |
|
|
| 20 | NH |
r CC + EE ’ | Résistance de conduite du module e, Terminal au chip | t C = 25 ℃ |
| 0.18 |
| M Oh |
Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités | |
V. Le groupe F | Diode vers l'avant tension | Je F =600A | t j = 25 ℃ |
| 1.8 | 2.4 | V. Le groupe |
t j = 125℃ |
| 1.9 | 2.5 | ||||
Q: Le numéro r | Diode à l'envers Frais de recouvrement |
Je F =600A, V. Le groupe r =600V, di/dt=-6000A/μs, V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15V | t j = 25 ℃ |
| 65 |
| Le taux de décharge |
t j = 125℃ |
| 100 |
| ||||
Je RM | Pôle de diode Récupération Actuel | t j = 25 ℃ |
| 450 |
|
Une | |
t j = 125℃ |
| 510 |
| ||||
E. Je suis désolé. Réc | Récupération Énergie | t j = 25 ℃ |
| 35 |
| Je suis désolé. | |
t j = 125℃ |
| 42 |
|
Caractéristique thermique ics
Le symbole | Paramètre | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
r θ JC | Les éléments de connexion doivent être en forme de boîtier. R module) |
| 0.04 | ℃ /W |
r θ JC | Jonction-à-Boîtier (Partie Diode, par Modu le) |
| 0.09 | ℃ /W |
r θ CS | La graisse conductive est utilisée pour la fabrication de (voir le tableau ci-dessous). | 0.035 |
| ℃ /W |
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