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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD600HTA120P6HT, Module IGBT, STARPOWER

1200V 600A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les données sont fournies par les autorités compétentes.
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 600A.

Caractéristiques

  • Faible VCE(sat) Technologie IGBT à tranchées
  • Faibles pertes de commutation
  • Capacité de court-circuit de 6 μs
  • VCE (sat) avec positifs Température coefficient
  • Température maximale de jonction 175oC
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Il est isolé. Cuivre pinfin plaque de base en utilisant Si3N4 AMB Technologie

Typique Applications

  • Application automobile
  • Véhicule hybride et électrique
  • Invertisseurs pour moteur

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 o C à moins Autrement Noté

L'IGBT

Le symbole

Description

Les valeurs

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté Rente

600

Une

Je C

Courant collecteur @ T F = 85 o C

450

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

1200

Une

P d

Dissipation de puissance maximale Le projet @ t F =75 o C t j = 175 o C

970

Le

Diode

Le symbole

Description

Les valeurs

unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pic répétitif Généralement générés

1200

V. Le groupe

Je FN

Collecteur Cu implémenté Rente

600

Une

Je F

Diode courant continu avant Cu Rente

450

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

1200

Une

Module

Le symbole

Description

valeur

unité

t jmax

Température maximale de jonction

175

o C

t le jouet

Température de fonctionnement de la jonction continue

Pour 10s dans une période de 30s, occurrence maximum 3000 fois sur la durée de vie moi

-40 à +150

+150 à +175

o C

t GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V. Le groupe

d Creepage

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

9.0 9.0

mm

d clair

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

4.5 4.5

mm

L'IGBT

Le symbole

Description

Les valeurs

unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté Rente

600

Une

Je C

Courant collecteur @ T F = 85 o C

450

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

1200

Une

P d

Dissipation de puissance maximale Le projet @ t F =75 o C t j = 175 o C

970

Le

Diode

Le symbole

Description

Les valeurs

unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pic répétitif Généralement générés

1200

V. Le groupe

Je FN

Collecteur Cu implémenté Rente

600

Une

Je F

Diode courant continu avant Cu Rente

450

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

1200

Une

Module

Le symbole

Description

valeur

unité

t jmax

Température maximale de jonction

175

o C

t le jouet

Température de fonctionnement de la jonction continue

Pour 10s dans une période de 30s, occurrence maximum 3000 fois sur la durée de vie moi

-40 à +150

+150 à +175

o C

t GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V. Le groupe

d Creepage

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

9.0 9.0

mm

d clair

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

4.5 4.5

mm

L'IGBT Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C

1.40

V. Le groupe

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C

1.65

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t j = 175 o C

1.70

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 o C

1.60

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 150 o C

1.90

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 175 o C

2.00

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte tension

Je C = 15,6 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 o C

6.4

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 o C

1.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 o C

400

nA

r Le gint

Résistance interne de la porte

1.67

Oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE =25V,f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

81.2

NF

C oes

Capacité de sortie

1.56

NF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.53

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe CE =600V,I C = 600A, V Généralement générés =-8... +15V

5.34

Le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =600A,

r Gon =1,0Ω, r Goff =2.2Ω, L s = 22nH,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, t j = 25 o C

290

N.S.

t r

Il est temps de monter.

81

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

895

N.S.

t F

Temps d'automne

87

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

53.5

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

47.5

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =600A,

r Gon =1,0Ω, r Goff =2.2Ω, L s = 22nH,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, t j = 150 o C

322

N.S.

t r

Il est temps de monter.

103

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1017

N.S.

t F

Temps d'automne

171

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

84.2

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

63.7

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =600A,

r Gon =1,0Ω, r Goff =2.2Ω, L s = 22nH,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, t j = 175 o C

334

N.S.

t r

Il est temps de monter.

104

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1048

N.S.

t F

Temps d'automne

187

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

89.8

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

65.4

Je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤6μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t j = 175 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V

2000

Une

Diode Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant tension

Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.80

V. Le groupe

Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.75

Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j =1 75o C

1.70

Je F =600A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.95

Je F =600A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.95

Je F =600A,V Généralement générés =0V,T j =1 75o C

1.90

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe r =600V,I F =600A,

-di/dt=7040A/μs,V Généralement générés = 8V L s = 22 NH ,t j = 25 o C

22.5

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

304

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

10.8

Je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe r =600V,I F =600A,

-di/dt=5790A/μs,V Généralement générés = 8V L s = 22 NH ,t j = 150 o C

46.6

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

336

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

18.2

Je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe r =600V,I F =600A,

-di/dt=5520A/μs,V Généralement générés = 8V L s = 22 NH ,t j = 175 o C

49.8

Le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

346

Une

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

19.8

Je suis désolé.

NTC Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

r 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de r 100

t C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

MW

B 25 à 50%

Valeur B

r 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2- Je suis désolé.

3375

k

B 25/80

Valeur B

r 2= R 25Exp [B 25/80 1/T 2- Je suis désolé.

3411

k

B 25/100

Valeur B

r 2= R 25Exp [B 25/100 1/T 2- Je suis désolé.

3433

k

Module Caractéristiques t F = 25 o C à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

unité

L CE

Inductivité de déplacement

8

NH

r CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.75

P

V/ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 o C

64

mbar

P

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

2.5

Barre

r thJF

Réservoir -à -Réfrigération Fluide (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode) V/ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 o C

0.103 0.140

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

g

Poids de Module

750

g

Le schéma

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