GD450HTT120C7S, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT 1200V

GD450HTT120C7S, Module IGBT, STARPOWER

1200V 450A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

Les données de référence doivent être fournies par le fabricant.

Introduction
Le schéma

Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 450A.

Caractéristiques

Faible V. Le groupe CE (sat) - Je suis un peu déçu. GY
Faible pertes de changement
10 μs Capacité de court-circuit
RBSOA carrée
V. Le groupe CE (sat) avec coefficient de température positif
Faible inductance Cas
Rapide & récupération inverse douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

Inverseur pour moteur Conduire
alternate et continu servo Conduire amplificateur
Énergie ininterrompue

Unité de mesure de la pression t C = 25 ℃ à moins d'indication contraire

Valeurs maximales nominales

Le symbole	Description	Les données de référence doivent être fournies par le fabricant.	Unités
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur @ T j = 25 ℃	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant collecteur @ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	650 450	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1ms	900	Une
P tout	Dissipation de puissance totale @ T j = 175 ℃	2155	Le
t SC	Courtoisie résiste au temps @ T j = 150 ℃	10	μs

Caractéristiques hors

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe (BR)CES	Collecteur-Émetteur Tension de rupture	t j = 25 ℃	1200			V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, t j = 25 ℃			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés =V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃			400	nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe RG (ème)	seuil d'émetteur de porte tension	Je C = 18,0 mA,V CE =V Généralement générés , t j = 25 ℃	5.0	5.8	6.5	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃		1.70	2.15	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃		1.90		V. Le groupe

Character changeant l'éducation

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de	V. Le groupe CC =600V,I C =450A, R g = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 ℃		23.0		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			31.0		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. tout	Totale Perte de changement			54.0		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de	V. Le groupe CC =600V,I C =450A, R g = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125 ℃		36.0		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			48.0		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. tout	Totale Perte de changement			84.0		Je suis désolé.

t d(on)	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =450A, r g = 1,6Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 ℃	160	N.S.
t r	Il est temps de monter.		90	N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard		500	N.S.
t F	Temps d'automne		130	N.S.
t d(on)	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C =450A, r g = 1,6Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 125 ℃	170	N.S.
t r	Il est temps de monter.		100	N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard		570	N.S.
t F	Temps d'automne		160	N.S.
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V	32.3	NF
C oes	Capacité de sortie		1.69	NF
C rés	Transfert inverse Capacité		1.46	NF
Je SC	Données SC	t s C ≤ 10μs,V Généralement générés ≤ 15 V, t j = 125 ℃ , V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤ Les autres	1800	Une
r Le gint	Résistance interne de la porte		1.7	Ω
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V	4.3	Le taux de décharge

Déplacement de diode t C = 25 ℃ à moins que d'autres Il est sage de noter

Valeurs maximales nominales

Le symbole	Description	Les données de référence doivent être fournies par le fabricant.	Unités
V. Le groupe RRM	Voltage du collecteur-émetteur @ T j = 25 ℃	1200	V. Le groupe
Je F	Courant direct de sortie @ t C = 80 ℃	450	Une
Je MFN	Courant de Polarisation de Crête Répétitif t P = 1 ms	900	Une
Je 2t	Je 2valeur-t,V r =0V, T P = 10 ms, T j = 125℃	35000	Une 2s

Valeurs caractéristiques

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai		Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =450A,V Généralement générés =0V	t j = 25 ℃		1.65	2.15	V. Le groupe
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =450A,V Généralement générés =0V	t j = 125 ℃		1.65		V. Le groupe
Q: Le numéro r	Charge récupérée	Je F =450A, V. Le groupe r =600V, une puissance de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de V. Le groupe Généralement générés =-15V	t j = 25 ℃		45.1		N.S.
Q: Le numéro r	Charge récupérée		t j = 125 ℃		84.6		N.S.
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 25 ℃		316		Une
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 125 ℃		404		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 25 ℃		21.1		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 125 ℃		38.9		Je suis désolé.

Électrique Caractéristiques de NTC t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
r 25	Résistance nominale			5.0		KΩ
ΔR/R	Déviation de r 100	t C = 100 ℃ ,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	dissipation de puissance				20.0	MW
B 25 à 50%	Valeur B	r 2= R 25exp[B 25 à 50% 1/T 2-1/(2 98.1 5K))]		3375		k

Module IGBT

Le symbole	Paramètre	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min		2500		V. Le groupe
L CE	Inductivité de déplacement		20		NH
r CC + EE ’	Résistance de connexion du module C'est le terminal à Chip. @ T C = 25 ℃		1.1		M Oh
r θJC	Réservoir -à -Cas (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)			0.058 0.102	Pour les produits de base
r θCS	La graisse conductive est utilisée pour la fabrication de (voir le tableau ci-dessous).		0.005		Pour les produits de base
t j	Température maximale de jonction			150	℃
t GST	Plage de température de stockage	-40		125	℃
Montage Couple	Terminal de puissance Pour les appareils de type à moteur	3.0		6.0	N.m.
Montage Couple	Montage Pour les appareils de type à moteur	3.0		6.0	N.m.
Poids	Poids de Module		910		g

Le schéma

image(6778dd5b7b).png

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