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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD450HTT120C7S, Module IGBT, STARPOWER

1200V 450A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les données de référence doivent être fournies par le fabricant.
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 450A.

Caractéristiques

  • Faible V. Le groupe CE (sat) - Je suis un peu déçu. GY
  • Faible pertes de changement
  • 10 μs Capacité de court-circuit
  • RBSOA carrée
  • V. Le groupe CE (sat) avec coefficient de température positif
  • Faible inductance Cas
  • Rapide & récupération inverse douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

  • Inverseur pour moteur Conduire
  • alternate et continu servo Conduire amplificateur
  • Énergie ininterrompue

Unité de mesure de la pression t C = 25 à moins d'indication contraire

Valeurs maximales nominales

Le symbole

Description

Les données de référence doivent être fournies par le fabricant.

Unités

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur @ T j = 25

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25

@ T C = 80

650

450

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

900

Une

P tout

Dissipation de puissance totale @ T j = 175

2155

Le

t SC

Courtoisie résiste au temps @ T j = 150

10

μs

Caractéristiques hors

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe (BR)CES

Collecteur-Émetteur

Tension de rupture

t j = 25

1200

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, t j = 25

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte

Actuel

V. Le groupe Généralement générés =V GES ,V CE =0V, t j = 25

400

nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe RG (ème)

seuil d'émetteur de porte

tension

Je C = 18,0 mA,V CE =V Généralement générés , t j = 25

5.0

5.8

6.5

V. Le groupe

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25

1.70

2.15

V. Le groupe

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125

1.90

Character changeant l'éducation

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

V. Le groupe CC =600V,I C =450A, R g = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25

23.0

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

31.0

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. tout

Totale Perte de changement

54.0

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

V. Le groupe CC =600V,I C =450A, R g = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125

36.0

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

48.0

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. tout

Totale Perte de changement

84.0

Je suis désolé.

t d(on)

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =450A, r g = 1,6Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 25

160

N.S.

t r

Il est temps de monter.

90

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

500

N.S.

t F

Temps d'automne

130

N.S.

t d(on)

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =450A, r g = 1,6Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 125

170

N.S.

t r

Il est temps de monter.

100

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

570

N.S.

t F

Temps d'automne

160

N.S.

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

32.3

NF

C oes

Capacité de sortie

1.69

NF

C rés

Transfert inverse

Capacité

1.46

NF

Je SC

Données SC

t s C 10μs,V Généralement générés 15 V, t j = 125 ,

V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC Les autres

1800

Une

r Le gint

Résistance interne de la porte

1.7

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V

4.3

Le taux de décharge

Déplacement de diode t C = 25 à moins que d'autres Il est sage de noter

Valeurs maximales nominales

Le symbole

Description

Les données de référence doivent être fournies par le fabricant.

Unités

V. Le groupe RRM

Voltage du collecteur-émetteur @ T j = 25

1200

V. Le groupe

Je F

Courant direct de sortie @ t C = 80

450

Une

Je MFN

Courant de Polarisation de Crête Répétitif t P = 1 ms

900

Une

Je 2t

Je 2valeur-t,V r =0V, T P = 10 ms, T j = 125

35000

Une 2s

Valeurs caractéristiques

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

tension

Je F =450A,V Généralement générés =0V

t j = 25

1.65

2.15

V. Le groupe

t j = 125

1.65

Q: Le numéro r

Charge récupérée

Je F =450A,

V. Le groupe r =600V,

une puissance de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de l'appareil de sortie de V. Le groupe Généralement générés =-15V

t j = 25

45.1

N.S.

t j = 125

84.6

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

t j = 25

316

Une

t j = 125

404

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

t j = 25

21.1

Je suis désolé.

t j = 125

38.9

Électrique Caractéristiques de NTC t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

r 25

Résistance nominale

5.0

ΔR/R

Déviation de r 100

t C = 100 ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

dissipation de puissance

20.0

MW

B 25 à 50%

Valeur B

r 2= R 25exp[B 25 à 50% 1/T 2-1/(2 98.1 5K))]

3375

k

Module IGBT

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V. Le groupe

L CE

Inductivité de déplacement

20

NH

r CC + EE

Résistance de connexion du module C'est le terminal à Chip. @ T C = 25

1.1

M Oh

r θJC

Réservoir -à -Cas (parIGBT )

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.058

0.102

Pour les produits de base

r θCS

La graisse conductive est utilisée pour la fabrication de (voir le tableau ci-dessous).

0.005

Pour les produits de base

t j

Température maximale de jonction

150

t GST

Plage de température de stockage

-40

125

Montage

Couple

Terminal de puissance Pour les appareils de type à moteur

3.0

6.0

N.m.

Montage Pour les appareils de type à moteur

3.0

6.0

N.m.

Poids

Poids de Module

910

g

Le schéma

image(6778dd5b7b).png

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