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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD400SGT120C2S,Module IGBT,STARPOWER

1200V 400A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 400A.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • Faible perte de commutation
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • Cas à faible inductance
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

  • Variateurs de courant alternatif
  • Les sources d'alimentation en mode commutateur
  • UPS

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Description

Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.

Unités

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant Collecteur @ t C = 25

@ T C = 80

680

400

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1 MS

800

Une

Je F

Diode à dérive continue le loyer

@ T C = 80

400

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

800

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T j =1 75

2419

Le

t jmax

Température maximale de jonction

175

t GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V. Le groupe

Montage Couple

Écrou de borne de puissance:M4

Écrou de borne de puissance:M6

1.1 à 2.0

2,5 à 5.0

N.m.

Vis de montage:M6

3.0 à 5.0

N.m.

Électrique Caractéristiques de L'IGBT t C = 25 à moins Autrement Noté

Caractéristiques hors

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe (BR )Le CES

Collecteur-Émetteur

Tension de rupture

t j = 25

1200

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25

400

nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte tension

Je C = 16,0 mA,V CE =V Généralement générés , t j = 25

5.0

5.8

6.5

V. Le groupe

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25

1.70

2.05

V. Le groupe

Je C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125

2.00

Caractéristiques de commutation

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 25

251

N.S.

t r

Il est temps de monter.

89

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

555

N.S.

t F

Temps d'automne

128

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

23.0

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

39.5

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 125

302

N.S.

t r

Il est temps de monter.

101

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

650

N.S.

t F

Temps d'automne

179

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

33.1

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

58.9

Je suis désolé.

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

28.8

NF

C oes

Capacité de sortie

1.51

NF

C rés

Transfert inverse

Capacité

1.31

NF

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V,

t j = 125 ℃, V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

1600

Une

r Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.9

Oh

L CE

Inductivité de déplacement

20

NH

r CC+EE

Conducteur de module

Résistance,

Terminal au chip

0.18

Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

tension

Je F = 400A

t j = 25

1.65

2.10

V. Le groupe

t j = 125

1.65

Q: Le numéro r

Récupéré

charge

Je F = 400A,

V. Le groupe r =600V,

r g = 1,8Ω,

V. Le groupe Généralement générés =-15V

t j = 25

39.8

Le taux de décharge

t j = 125

75.1

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

t j = 25

275

Une

t j = 125

362

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

t j = 25

18.0

Je suis désolé.

t j = 125

34.1

Caractéristique thermique ics

Le symbole

Paramètre

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

r θ JC

Les points de jonction (par IGB) T)

0.067

Pour les produits de base

r θ JC

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.124

Pour les produits de base

r θ CS

Boîtier à dissipateur (application de graisse conductrice faite)

0.035

Pour les produits de base

Poids

Poids Module

300

g

Le schéma

image(6b521639e0).png

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