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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD400HFT120C2S, Module IGBT, STARPOWER

1200V 400A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO 11992-2.
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 400A.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • Faibles pertes de commutation
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Énergie ininterrompue

Rating absolu maximum t C = 25 sauf indication contraire n oté

Le symbole

Description

Les données de référence doivent être fournies conformément à la norme ISO 11992-2.

Unités

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25

@ T C = 80

600

Une

400

Je CM(1)

Courant collecteur pulsé t P =1ms

800

Une

Je F

Diode à courant continu vers l'avant @ T C = 80

400

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

800

Une

P d

Puissance maximale t j = 150

2119

Le

t jmax

Température maximale de jonction

150

t GST

Plage de température de stockage

- 40 à +125

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V. Le groupe

Montage

Terminal de puissance Pour les appareils de type à moteur

2,5 à 5.0

N.m.

Couple

Montage Pour les appareils de type à moteur

3.0 à 5.0

Caractéristiques électriques du L'IGBT t C = 25 à moins d'indication contraire

Caractéristiques hors

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe (BR)CES

Collecteur-Émetteur

Tension de rupture

t j = 25

1200

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, t j = 25

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte

Actuel

V. Le groupe Généralement générés =V GES ,V CE =0V, t j = 25

400

nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe RG (ème)

seuil d'émetteur de porte

tension

Je C =16mA,V CE =V Généralement générés , t j = 25

5.0

5.8

6.5

V. Le groupe

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25

1.70

2.15

V. Le groupe

Je C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125

2.00

Character changeant l'éducation

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

t d(on)

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 400A, r g =1.8Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25

250

N.S.

t r

Il est temps de monter.

39

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

500

N.S.

t F

Temps d'automne

100

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

17.0

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

42.0

Je suis désolé.

t d(on)

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 400A, r g =1.8Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125

299

N.S.

t r

Il est temps de monter.

46

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

605

N.S.

t F

Temps d'automne

155

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

25.1

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

61.9

Je suis désolé.

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

28.8

NF

C oes

Capacité de sortie

1.51

NF

C rés

Transfert inverse

Capacité

1.31

NF

Je SC

Données SC

t s C 10μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ,

V. Le groupe CC =600V, V. Le groupe MEC Les autres

1600

Une

r Le gint

Résistance interne de la porte

1.9

L CE

Inductivité de déplacement

20

NH

r CC + EE

Module de résistance au plomb nce, Terminal au chip

t C = 25

0.35

M Oh

Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

tension

Je F = 400A

t j = 25

1.65

2.15

V. Le groupe

t j = 125

1.65

Q: Le numéro r

Charge récupérée

Je F = 400A,

V. Le groupe r =600V,

di/dt=-6000A/μs, V. Le groupe Généralement générés =-15V

t j = 25

44

Le taux de décharge

t j = 125

78

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

t j = 25

490

Une

t j = 125

555

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

t j = 25

19.0

Je suis désolé.

t j = 125

35.1

Caractéristiques thermiques

Le symbole

Paramètre

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

r θJC

Réservoir -à -Cas (parIGBT )

0.059

Pour les produits de base

r θJC

Jonction-à-Boîtier (par Diode)

0.106

Pour les produits de base

r θCS

Boîtier-à-Dissipateur (Graisse conductrice appliqué)

0.035

Pour les produits de base

Poids

Poids de Module

300

g

Le schéma

image(c3756b8d25).png

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