Module IGBT, 1200 V 400 A
Introduction brève
Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 400A.
Caractéristiques
Typique Applications
Rating absolu maximum t C = 25 ℃ sauf indication contraire n oté
Le symbole | Description | Les données de référence doivent être fournies par le service de sécurité. | Unités |
V. Le groupe Le CES | Voltage du collecteur-émetteur | 1200 | V. Le groupe |
V. Le groupe GES | Voltage de l'émetteur de la porte | ± 20 | V. Le groupe |
Je C | Courant collecteur @ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃ | 650 | Une |
400 | |||
Je CM(1) | Courant collecteur pulsé t P =1ms | 800 | Une |
Je F | Diode à courant continu vers l'avant @ T C = 80 ℃ | 400 | Une |
Je FM | Le courant de débit avant maximal de la diode nt | 800 | Une |
P d | Puissance maximale t j = 150 ℃ | 2450 | Le |
t jmax | Température maximale de jonction | 150 | ℃ |
t GST | Plage de température de stockage | - 40 à +125 | ℃ |
V. Le groupe ISO | Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | V. Le groupe |
Montage | Terminal de puissance Pour les appareils de type à moteur | 2,5 à 5.0 | N.m. |
Couple | Montage Pour les appareils de type à moteur | 3.0 à 5.0 |
|
Caractéristiques électriques du L'IGBT t C = 25 ℃ à moins d'indication contraire
Caractéristiques hors
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
V. Le groupe (BR)CES | Collecteur-Émetteur Tension de rupture | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| V. Le groupe |
Je Le CES | Le collecteur Coupe -Éteint Actuel | V. Le groupe CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | Le nombre de |
Je GES | Fuite de l'émetteur de la porte Actuel | V. Le groupe Généralement générés =V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | nA |
Caractéristiques à l'état passant
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
V. Le groupe RG (ème) | seuil d'émetteur de porte tension | Je C =16mA,V CE =V Généralement générés , t j = 25 ℃ | 5.0 | 6.2 | 7.0 | V. Le groupe |
V. Le groupe CE (sat) |
Collecteur à émetteur Voltage de saturation | Je C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃ |
| 1.90 | 2.35 |
V. Le groupe |
Je C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃ |
| 2.10 |
|
Character changeant l'éducation
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
t d(on) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC =600V,I C = 400A, r g =4.1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25 ℃ |
| 910 |
| N.S. |
t r | Il est temps de monter. |
| 200 |
| N.S. | |
t d (Éteint ) | Débranchement Temps de retard |
| 848 |
| N.S. | |
t F | Temps d'automne |
| 110 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé. sur | On le met en marche Le changement Perte de |
| 33.5 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé. Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 39.5 |
| Je suis désolé. | |
t d(on) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupe CC =600V,I C = 400A, r g =4.1Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125 ℃ |
| 1047 |
| N.S. |
t r | Il est temps de monter. |
| 201 |
| N.S. | |
t d (Éteint ) | Débranchement Temps de retard |
| 998 |
| N.S. | |
t F | Temps d'automne |
| 150 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé. sur | On le met en marche Le changement Perte de |
| 46.0 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé. Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 57.6 |
| Je suis désolé. | |
C - Je vous en prie. | Capacité d'entrée |
V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V |
| 29.7 |
| NF |
C oes | Capacité de sortie |
| 2.08 |
| NF | |
C rés | Transfert inverse Capacité |
| 1.36 |
| NF | |
Je SC |
Données SC | t s C ≤ 10μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃ ,V CC =600V, V. Le groupe MEC ≤ Les autres |
|
1800 |
|
Une |
r Le gint | Résistance interne de la porte |
|
| 0.5 |
| Ω |
L CE | Inductivité de déplacement |
|
|
| 20 | NH |
r CC + EE ’ | Module de résistance au plomb nce, Terminal au chip | t C = 25 ℃ |
| 0.35 |
| M Oh |
Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités | |
V. Le groupe F | Diode vers l'avant tension | Je F = 400A | t j = 25 ℃ |
| 1.80 | 2.40 | V. Le groupe |
t j = 125 ℃ |
| 1.85 |
| ||||
Q: Le numéro r | Charge récupérée |
Je F = 400A, V. Le groupe r =600V, di/dt=-2680A/μs, V. Le groupe Généralement générés =-15V | t j = 25 ℃ |
| 26 |
| Le taux de décharge |
t j = 125 ℃ |
| 49 |
| ||||
Je RM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération | t j = 25 ℃ |
| 212 |
| Une | |
t j = 125 ℃ |
| 281 |
| ||||
E. Je suis désolé. Réc | Récupération Énergie | t j = 25 ℃ |
| 13.4 |
| Je suis désolé. | |
t j = 125 ℃ |
| 23.8 |
| ||||
Caractéristiques thermiques
Le symbole | Paramètre | - Je sais. | Je suis désolé. | Unités |
r θJC | Réservoir -à -Cas (parIGBT ) |
| 0.051 | Pour les produits de base |
r θJC | Jonction-à-Boîtier (par Diode) |
| 0.072 | Pour les produits de base |
r θCS | Boîtier-à-Dissipateur (Graisse conductrice appliqué) | 0.035 |
| Pour les produits de base |
Poids | Poids de Module | 300 |
| g |
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