IGBT discret,1200V,75A
Rappel amical:Fou plusIGBT discrète, veuillez envoyer un e-mail.
Caractéristiques
Typique Applications
- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation tC= 25oC à moins Autrement Noté
L'IGBT
Le symbole | Description | Les valeurs | unité |
V. Le groupeLe CES | Voltage du collecteur-émetteur | 1200 | V. Le groupe |
V. Le groupeGES | Voltage de l'émetteur de la porte | ± 20 | V. Le groupe |
JeC | Courant collecteur @ TC= 25oC @ TC= 100oC | 150 75 | Une |
Jecm | Impulsé Le collecteur Actuel tP limité Par tvjmax | 225 | Une |
Pd | Puissance maximale Dissipation @ Tvj= 175oC | 852 | Le |
Diode
Le symbole | Description | Les valeurs | unité |
V. Le groupeRRM | Tension inverse de crête répétitiveÂge | 1200 | V. Le groupe |
JeF | Diode courant continu avant CuRente | 75 | Une |
JeFM | Impulsé Le collecteur Actuel tP limité Par tvjmax | 225 | Une |
Discret
Le symbole | Description | Les valeurs | unité |
tvjop | Température de fonctionnement des jonctions | -40 à +175 | oC |
tGST | Plage de température de stockage | -55 à +150 | oC |
ts | Température de soudage,1.6mm from case for 10s | 260 | oC |
L'IGBT Caractéristiques tC= 25oC à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | unité |
V. Le groupeCE (sat) |
Collecteur à émetteur Voltage de saturation | JeC=75A,VGénéralement générés= 15 V, tvj= 25oC |
| 1.75 | 2.20 |
V. Le groupe |
JeC=75A,VGénéralement générés= 15 V, tvj= 150oC |
| 2.10 |
| |||
JeC=75A,VGénéralement générés= 15 V, tvj= 175oC |
| 2.20 |
| |||
V. Le groupeGénéralement générés(Le) | seuil d'émetteur de porte tension | JeC=3.00Le nombre de,V. Le groupeCE=V. Le groupeGénéralement générés, tvj= 25oC | 5.0 | 5.8 | 6.5 | V. Le groupe |
JeLe CES | Le collecteur Coupe-ÉteintActuel | V. Le groupeCE=V. Le groupeLe CES,V. Le groupeGénéralement générés=0V, tvj= 25oC |
|
| 250 | μA |
JeGES | Fuite de l'émetteur de la porte Actuel | V. Le groupeGénéralement générés=V. Le groupeGES,V. Le groupeCE=0V,tvj= 25oC |
|
| 100 | nA |
rLe gint | Résistance interne de la porte |
|
| 2.0 |
| Oh |
C- Je vous en prie. | Capacité d'entrée |
V. Le groupeCE=25V,f=100kHz, V. Le groupeGénéralement générés=0V |
| 6.58 |
| NF |
Coes | Capacité de sortie |
| 0.40 |
|
| |
Crés | Transfert inverse Capacité |
| 0.19 |
| NF | |
Q: Le numérog | Charge de la porte | V. Le groupeGénéralement générés=-15…+15V |
| 0.49 |
| Le taux de décharge |
td(sur) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupeCC=600V,IC=75A, rg= 4,7Ω, V. Le groupeGénéralement générés= ± 15 V, Ls=40nH, tvj= 25oC |
| 41 |
| N.S. |
tr | Il est temps de monter. |
| 135 |
| N.S. | |
td(off) | Débranchement Temps de retard |
| 87 |
| N.S. | |
tF | Temps d'automne |
| 255 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé.sur | On le met en marche Le changement Perte de |
| 12.5 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé.Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 3.6 |
| Je suis désolé. | |
td(sur) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupeCC=600V,IC=75A, rg= 4,7Ω, V. Le groupeGénéralement générés= ± 15 V, Ls=40nH, tvj= 150oC |
| 46 |
| N.S. |
tr | Il est temps de monter. |
| 140 |
| N.S. | |
td(off) | Débranchement Temps de retard |
| 164 |
| N.S. | |
tF | Temps d'automne |
| 354 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé.sur | On le met en marche Le changement Perte de |
| 17.6 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé.Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 6.3 |
| Je suis désolé. | |
td(sur) | Temps de retard d'activation |
V. Le groupeCC=600V,IC=75A, rg= 4,7Ω, V. Le groupeGénéralement générés= ± 15 V, Ls=40nH, tvj= 175oC |
| 46 |
| N.S. |
tr | Il est temps de monter. |
| 140 |
| N.S. | |
td(off) | Débranchement Temps de retard |
| 167 |
| N.S. | |
tF | Temps d'automne |
| 372 |
| N.S. | |
E. Je suis désolé.sur | On le met en marche Le changement Perte de |
| 18.7 |
| Je suis désolé. | |
E. Je suis désolé.Éteint | Commutateur d'arrêt Perte de |
| 6.7 |
| Je suis désolé. | |
JeSC |
Données SC | tP≤ 10 μs,V. Le groupeGénéralement générés= 15 V, tvj= 175oC,VCC=800V, V. Le groupeMEC≤1200V |
|
300 |
|
Une |
Diode Caractéristiques tC= 25oC à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | unité |
V. Le groupeF | Diode vers l'avant tension | JeF=75A,VGénéralement générés=0V,Tvj= 25oC |
| 1.75 | 2.20 |
V. Le groupe |
JeF=75A,VGénéralement générés=0V,Tvj=150oC |
| 1.75 |
| |||
JeF=75A,VGénéralement générés=0V,Tvj=175oC |
| 1.75 |
| |||
le | Diode à l'envers Temps de récupération |
V. Le grouper=600V,IF=75A, -di/dt=370A/μs,VGénéralement générés=-15V, Ls=40nH, tvj= 25oC |
| 267 |
| N.S. |
Q: Le numéror | Charge récupérée |
| 4.2 |
| Le taux de décharge | |
JeRM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
| 22 |
| Une | |
E. Je suis désolé.Réc | Récupération Énergie |
| 1.1 |
| Je suis désolé. | |
le | Diode à l'envers Temps de récupération |
V. Le grouper=600V,IF=75A, -di/dt=340A/μs,VGénéralement générés=-15V, Ls=40nH, tvj= 150oC |
| 432 |
| N.S. |
Q: Le numéror | Charge récupérée |
| 9.80 |
| Le taux de décharge | |
JeRM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
| 33 |
| Une | |
E. Je suis désolé.Réc | Récupération Énergie |
| 2.7 |
| Je suis désolé. | |
le | Diode à l'envers Temps de récupération |
V. Le grouper=600V,IF=75A, -di/dt=320A/μs,VGénéralement générés=-15V, Ls=40nH, tvj= 175oC |
| 466 |
| N.S. |
Q: Le numéror | Charge récupérée |
| 11.2 |
| Le taux de décharge | |
JeRM | Période de pointe à l'envers Courant de récupération |
| 35 |
| Une | |
E. Je suis désolé.Réc | Récupération Énergie |
| 3.1 |
| Je suis désolé. |
Discret Caractéristiques tC= 25oC à moins Autrement Noté
Le symbole | Paramètre | Je ne sais pas. | - Je sais. | Je suis désolé. | unité |
rle CJJ | Les points de jonction (par IGB)T)Les points de contact entre les deux cas (par D)iode) |
|
| 0.176 0.371 | Pour les produits de base |
rthJA | Jonction-à-Ambiant |
| 40 |
| Pour les produits de base |
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Vous pouvez suivre leur liste de produits et poser toutes les questions qui vous intéressent.
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