GD800SGT120C3S, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT 1200V

GD800SGT120C3S,Module IGBT,STARPOWER

1200V 800A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

GD800SGT120C3S

Introduction
Le schéma

Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 800A.

Caractéristiques

Faible V CE (assis ) Tranchée L'IGBT Technologie
10 μs Capab de court-circuit l'égalité
V. Le groupe CE (assis ) avec positifs Température coefficient
Faible inductance Cas
Récupération inverse rapide et douce FWD antiparallèle
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

Convertisseurs haute puissance
Pilotes de moteur
Variateurs de courant alternatif

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Le symbole	Description	GD800SGT120C3S	Unités
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	Courant Collecteur @ t C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	1350 800	Une
Je cm	Courant collecteur pulsé t P =1 MS	1600	Une
Je F	Diode à dérive continue le loyer @ T C = 80 ℃	800	Une
Je FM	Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms	1600	Une
P d	Puissance maximale Dissipation @ T j =1 75℃	4.44	KW
t jmax	Température maximale de jonction	175	℃
t le jouet	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	℃
t GST	Température de stockage Autonomie	-40 à +125	℃
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V. Le groupe
Montage Couple	Vis de terminal de signal:M4	1.8 à 2.1
	Vis de terminal d'alimentation:M8	8.0 à 10	N.m.
	Vis de montage:M6	4.25 à 5.75

Électrique Caractéristiques de L'IGBT t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Caractéristiques hors

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe (BR )Le CES	Collecteur-Émetteur Tension de rupture	t j = 25 ℃	1200			V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25 ℃			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25 ℃			400	nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe Généralement générés (Le )	seuil d'émetteur de porte tension	Je C =32 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25 ℃	5.0	5.8	6.5	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃		1.70	2.15	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃		2.00		V. Le groupe

Caractéristiques de commutation

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C = 800A, r Gon =3.6Ω, r Goff =0.91Ω, V. Le groupe Généralement générés =±15V,T j = 25 ℃		250		N.S.
t r	Il est temps de monter.			190		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			90		N.S.
t F	Temps d'automne			130		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			58.1		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			85.4		Je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C = 800A, r Gon =3.6Ω, r Goff =0.91Ω, V. Le groupe Généralement générés =±15V,T j = 125 ℃		260		N.S.
t r	Il est temps de monter.			200		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			810		N.S.
t F	Temps d'automne			210		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Le changement Perte de			85.5		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Commutateur d'arrêt Perte de			126		Je suis désolé.
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		57.7		NF
C oes	Capacité de sortie			3.02		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			2.62		NF
Je SC	Données SC	t P ≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V, t j = 125 ℃, V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V		3200		Une
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe CC =600V,I C = 800A, V. Le groupe Généralement générés =-15 ﹍+15V		7.4		Le taux de décharge
r Le gint	Résistance à la porte interne ance			0.78		Oh
L CE	Inductivité de déplacement			15		NH
r CC+EE	Conducteur de module Résistance, Terminal au chip			0.10		mΩ

Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai		Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =800A	t j = 25 ℃		1.65	2.10	V. Le groupe
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =800A	t j = 125℃		1.65		V. Le groupe
Q: Le numéro r	Récupéré charge	Je F = 800A, V. Le groupe r =600V, r g =3.6Ω, V. Le groupe Généralement générés =-15V	t j = 25 ℃		48.6		Le taux de décharge
Q: Le numéro r	Récupéré charge		t j = 125 ℃		91.2		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 25 ℃		340		Une
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 125 ℃		440		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 25 ℃		21.8		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 125 ℃		41.3		Je suis désolé.

Caractéristique thermique ics

Le symbole	Paramètre	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
r θ JC	Les points de jonction (par IGB) T)		33.8	K/kW
r θ JC	Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)		57.4	K/kW
r θ CS	Boîtier à dissipateur (application de graisse conductrice faite)	6		K/kW
Poids	Poids Module	1500		g