GD800HFL120C3S, Module IGBT, STARPOWER

GD800HFL120C3S,Module IGBT,STARPOWER

1200V 800A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 800A.

Caractéristiques

Typique Applications

Rating absolu maximum t C = 25 ℃ à moins que ce ne soit le cas - Je suis désolé.

Le symbole	Description	Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.	Unités
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	@ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	1250	Une
Je C	@ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	800	Une
Je CM(1)	Courant collecteur pulsé t P = 1 ms	1600	Une
Je F	Diode à courant continu vers l'avant	800	Une
Je FM	Le diode est équipé d'un système de décharge de courant	1600	Une
P d	Puissance maximale t j = 150 ℃	4310	Le
t SC	Courtoisie résiste au temps @ T j = 125 ℃	10	μs
t j	Température de fonctionnement des jonctions	- 40 à +150	℃
t GST	Plage de température de stockage	- 40 à +125	℃
Je 2valeur t, diode	V. Le groupe r =0V, t=10 ms, T j = 125 ℃	140	kA 2s
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V. Le groupe
Montage Couple	Terminal de puissance Vis:M4 Terminal de puissance Vis:M8	1.7 à 2.3 8.0 à 10	N.m.
Montage Couple	Montage Pour les appareils de type à moteur	4.25 à 5.75	N.m.

Caractéristiques électriques du L'IGBT t C = 25 ℃ à moins d'indication contraire

Caractéristiques hors

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
Le BV Le CES	Collecteur-Émetteur Tension de rupture	t j = 25 ℃	1200			V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, t j = 25 ℃			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés =V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃			400	nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe RG (ème)	seuil d'émetteur de porte tension	Je C =32mA,V CE =V Généralement générés , t j = 25 ℃	5.0	6.2	7.0	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃		1.8		V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃		2.0		V. Le groupe

Character changeant l'éducation

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
Q: Le numéro Généralement générés	Charge de la porte	Je C = 800 A, V CE =600V, V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V		11.5		Le taux de décharge
t d(on)	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C = 800A, r Gon = 3,3Ω, r Goff = 0,39Ω, V. Le groupe Généralement générés =± 15V,T j = 25 ℃		600		N.S.
t r	Il est temps de monter.			230		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			820		N.S.
t F	Temps d'automne			150		N.S.
t d(on)	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C = 800A, r Gon = 3,3Ω, r Goff = 0,39Ω, V. Le groupe Généralement générés =± 15V,T j = 125 ℃		660		N.S.
t r	Il est temps de monter.			220		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			960		N.S.
t F	Temps d'automne			180		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Perte de changement			160		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Perte de commutation à l'arrêt			125		Je suis désolé.
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		61.8		NF
C oes	Capacité de sortie			4.2		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			2.7		NF
Je SC	Données SC	t s C ≤ 10μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃ , V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤ Les autres		3760		Une
L CE	Inductivité de déplacement			20		NH
r CC + EE ’	Résistance de connexion du module ce, Terminal au chip	t C = 25 ℃		0.18		M Oh

Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai		Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =800A	t j = 25 ℃		2.4		V. Le groupe
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =800A	t j = 125 ℃		2.2		V. Le groupe
Q: Le numéro r	Diode à l'envers Frais de recouvrement	Je F = 800A, V. Le groupe r =600V, di/dt=-3600A/μs, V. Le groupe Généralement générés =-15V	t j = 25 ℃		37		Le taux de décharge
Q: Le numéro r	Diode à l'envers Frais de recouvrement		t j = 125 ℃		90		Le taux de décharge
Je RM	Pôle de diode Récupération Actuel		t j = 25 ℃		260		Une
Je RM	Pôle de diode Récupération Actuel		t j = 125 ℃		400		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 25 ℃		9		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 125 ℃		24		Je suis désolé.

Caractéristiques thermiques

Le symbole	Paramètre	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
r θJC	Jonction-à-Boîtier (Partie IGBT, par 1/2 Module)		0.029	Pour les produits de base
r θJC	Jonction-à-Boîtier (Partie Diode, par 1/2 Module)		0.052	Pour les produits de base
r θCS	Casse à évier (Graisse conductrice appliquée, par Module)	0.006		Pour les produits de base
Poids	Poids de Module	1500		g