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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD630HFL120C2S,Module IGBT,STARPOWER

1200V 630A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD630HFL120C2S
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 630A.

Caractéristiques

  • Faible V. Le groupe CE (assis ) SPT + L'IGBT Technologie
  • 10 μs Capacité de court-circuit
  • V. Le groupe CE (assis ) avec positifs Température coefficient
  • Faible inductance Cas
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle Fwd
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
  • AlN sous-produit pour une faible th résistance à l'éruption

Applications Typiques

  • Inverseur pour moteur Conduire
  • alternate et continu Servo-entraînement ampl ificateur
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Description

GD630HFL120C2S

Unités

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25

@ T C = 80

945

Une

630

Je cm (1)

Courant collecteur pulsé t P =1ms

1260

Une

Je F

Diode à courant continu vers l'avant

@ T C = 80

630

Une

Je FM

Diode à courbe avant maximale le loyer

1260

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T j = 150

4167

Le

t jmax

Température maximale de jonction

150

t GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V. Le groupe

Montage Couple

Terminal de puissance Pour les appareils de type à moteur

Montage Pour les appareils de type à moteur

2,5 à 5.0

3.0 à 5.0

N.m.

Électrique Caractéristiques de L'IGBT t C = 25 à moins Autrement Noté

Caractéristiques hors

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe (BR )Le CES

Collecteur-Émetteur

Tension de rupture

t j = 25

1200

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte

Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25

400

nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte

tension

Je C = 16,0 mA,V CE =V Généralement générés , t j = 25

5.0

6.2

7.0

V. Le groupe

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C = 630A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25

2.35

2.80

V. Le groupe

Je C = 630A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125

2.73

Caractéristiques de commutation

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 630A, r g = 2,5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25

210

N.S.

t r

Il est temps de monter.

102

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

600

N.S.

t F

Temps d'automne

80

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

75.2

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

37.8

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 630A, r g = 2,5Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125

230

N.S.

t r

Il est temps de monter.

103

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

705

N.S.

t F

Temps d'automne

103

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

102.9

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

63.0

Je suis désolé.

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

29.7

NF

C oes

Capacité de sortie

2.08

NF

C rés

Transfert inverse

Capacité

1.36

NF

Je SC

Données SC

t s C 10μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 125,V CC =600V,

V. Le groupe MEC Les autres

1800

Une

r Le gint

Résistance de porte interne Valeurs

0.5

Oh

L CE

Inductivité de déplacement

18

NH

r CC + EE

Résistance de connexion du module ce, Terminal au chip

t C = 25

0.32

M Oh

Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

tension

Je F = 630A

t j = 25

2.00

2.40

V. Le groupe

t j = 125

2.20

Q: Le numéro r

Charge récupérée

Je F = 630A,

V. Le groupe r =600V,

r g =2.5Ω,

V. Le groupe Généralement générés Je suis désolé. 15V

t j = 25

80

Le taux de décharge

t j = 125

130

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

t j = 25

336

Une

t j = 125

433

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

t j = 25

24.4

Je suis désolé.

t j = 125

49.6

Caractéristique thermique ics

Le symbole

Paramètre

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

r θ JC

Jonction à boîtier (par IG BT)

0.030

Pour les produits de base

r θ JC

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.048

Pour les produits de base

r θ CS

La graisse conductive est utilisée pour la fabrication de (voir le tableau ci-dessous).

0.035

Pour les produits de base

Poids

Poids de Module

340

g

Le schéma

image(c3756b8d25).png

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