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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD600SGT120C2S,Module IGBT,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD600SGT120C2S
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 600A.

Caractéristiques

  • Faible V CE (assis ) Tranchée L'IGBT Technologie
  • Faible Perte de changement
  • 10 μs Capab de court-circuit l'égalité
  • Faible inductance Cas
  • V. Le groupe CE (assis ) avec positifs Température coefficient
  • Récupération inverse rapide et douce FWD antiparallèle
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

  • Variateurs de courant alternatif
  • Les sources d'alimentation en mode commutateur
  • UPS

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Description

GD600SGT120C2S

Unités

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant Collecteur @ t C = 25

@ T C = 80

950

600

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1 MS

1200

Une

Je F

Diode à dérive continue le loyer

@ T C = 80

600

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

1200

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T j =1 75

3333

Le

t jmax

Température maximale de jonction

175

t GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V. Le groupe

Montage Couple

Écrou de borne de puissance:M4

Écrou de borne de puissance:M6

1.1 à 2.0

2,5 à 5.0

N.m.

Vis de montage:M6

3.0 à 5.0

N.m.

Électrique Caractéristiques de L'IGBT t C = 25 à moins Autrement Noté

Caractéristiques hors

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe (BR )Le CES

Collecteur-Émetteur

Tension de rupture

t j = 25

1200

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25

400

nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte tension

Je C =24.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25

5.0

5.8

6.5

V. Le groupe

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25

1.70

2.15

V. Le groupe

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125

2.00

Caractéristiques de commutation

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =600A, r g = 1.2Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 25

252

N.S.

t r

Il est temps de monter.

88

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

560

N.S.

t F

Temps d'automne

131

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

33.1

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

57.8

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =600A, r g = 1.2Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 125

298

N.S.

t r

Il est temps de monter.

102

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

648

N.S.

t F

Temps d'automne

179

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

50.2

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

87.8

Je suis désolé.

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

32.3

NF

C oes

Capacité de sortie

1.69

NF

C rés

Transfert inverse

Capacité

1.46

NF

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V,

t j = 125 ℃, V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

2400

Une

r Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.3

Oh

L CE

Inductivité de déplacement

20

NH

r CC+EE

Conducteur de module

Résistance,

Terminal au chip

0.18

Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

tension

Je F =600A

t j = 25

1.65

2.10

V. Le groupe

t j = 125

1.65

Q: Le numéro r

Récupéré

charge

Je F =600A,

V. Le groupe r =600V,

r g = 1.2Ω,

V. Le groupe Généralement générés =-15V

t j = 25

60.3

Le taux de décharge

t j = 125

114

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

t j = 25

415

Une

t j = 125

543

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

t j = 25

28.1

Je suis désolé.

t j = 125

51.8

Caractéristique thermique ics

Le symbole

Paramètre

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

r θ JC

Les points de jonction (par IGB) T)

0.045

Pour les produits de base

r θ JC

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.080

Pour les produits de base

r θ CS

Boîtier à dissipateur (application de graisse conductrice faite)

0.035

Pour les produits de base

Poids

Poids Module

300

g

Le schéma

image(6b521639e0).png

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