GD600HFT170C3S, Module IGBT, STARPOWER

Module IGBT 1700V

GD600HFT170C3S, Module IGBT, STARPOWER

1700V 600A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

Les données de référence doivent être fournies par les autorités compétentes.

Introduction
Le schéma

Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1700V 600A.

Caractéristiques

Faible VCE(sat) Technologie IGBT à tranchées
Capacité de court-circuit de 10 μs
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

Variateurs de courant alternatif
Énergie ininterrompue
Éoliennes

Rating absolu maximum t C = 25 ℃ sauf indication contraire n oté

Le symbole	Description	Les données de référence doivent être fournies par les autorités compétentes.	Unités
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1700	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	@ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	950	Une
Je C	@ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	600	Une
Je CM(1)	Courant collecteur pulsé t P = 1 ms	1200	Une
Je F	Résistance à la compression nt	600	Une
Je FM	Le courant de débit avant maximal de la diode nt	1200	Une
P d	Puissance maximale t j = 175 ℃	3571	Le
t j	Température maximale de jonction	150	℃
t GST	Plage de température de stockage	- 40 à +125	℃
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min	3400	V. Le groupe
Montage Couple	Terminal de puissance Vis:M4 Terminal de puissance Vis:M8	1.8 à 2.1 8.0 à 10	N.m.
Montage Couple	Montage Pour les appareils de type à moteur	4.25 à 5.75	N.m.

Caractéristiques électriques du L'IGBT t C = 25 ℃ sauf indication contraire

Caractéristiques hors

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe (BR) CES	Collecteur-Émetteur Tension de rupture	t j = 25 ℃	1700			V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, t j = 25 ℃			5.0	Le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés =V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃			400	nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe RG (ème)	seuil d'émetteur de porte tension	Je C =24mA,V CE =V Généralement générés , t j = 25 ℃	5.2	5.8	6.4	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25 ℃		2.00	2.45	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃		2.40		V. Le groupe

Character changeant l'éducation

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
Q: Le numéro g	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V		7.0		Le taux de décharge
t d(on)	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C =600A, r Gon = 2,4Ω, r Goff =3.0Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15V,T j = 25 ℃		650		N.S.
t r	Il est temps de monter.			155		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			1300		N.S.
t F	Temps d'automne			180		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Perte de changement			125		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Perte de commutation à l'arrêt			186		Je suis désolé.
t d(on)	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC = 900V,I C =600A, r Gon = 2,4Ω, r Goff =3.0Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15V,T j = 125 ℃		701		N.S.
t r	Il est temps de monter.			198		N.S.
t d (Éteint )	Débranchement Temps de retard			1590		N.S.
t F	Temps d'automne			302		N.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Perte de changement			186		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Éteint	Perte de commutation à l'arrêt			219		Je suis désolé.
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		52.8		NF
C oes	Capacité de sortie			2.20		NF
C rés	Transfert inverse Capacité			1.75		NF
Je SC	Données SC	t s C ≤ 10μs,V Généralement générés = 15 V, t j = 125 ℃ ,V CC =1000V, V. Le groupe MEC ≤ Unité de régulation		2400		Une
r Le gint	Résistance interne de la porte			1.3		Oh
L CE	Inductivité de déplacement			20		NH
r CC + EE ’	Module de résistance au plomb, Terminal au chip			0.18		M Oh

Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 ℃ à moins Autrement Noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai		Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =600A	t j = 25 ℃		1.80	2.20	V. Le groupe
V. Le groupe F	Diode vers l'avant tension	Je F =600A	t j = 125 ℃		1.90		V. Le groupe
Q: Le numéro r	Charge récupérée	Je F =600A, V. Le groupe r =900V, di/dt=-3800A/μs, V. Le groupe Généralement générés =-15V	t j = 25 ℃		580		Le taux de décharge
Q: Le numéro r	Charge récupérée		t j = 125 ℃		640		Le taux de décharge
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 25 ℃		160		Une
Je RM	Période de pointe à l'envers Courant de récupération		t j = 125 ℃		258		Une
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 25 ℃		96		Je suis désolé.
E. Je suis désolé. Réc	Récupération Énergie		t j = 125 ℃		171		Je suis désolé.

Caractéristiques thermiques

Le symbole	Paramètre	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
r θJC	Jonction-à-Boîtier (par Les données sont disponibles en ligne.		42	K/kW
r θJC	Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)		94	K/kW
r θCS	Casse à évier (Graisse conductrice appliquée, par Module)	6		K/kW
Poids	Poids de Module	1500		g