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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD450HTT120C7S_G8, Module IGBT, 1200V 450A, STARPOWER

Module IGBT,1200V 450A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les données de référence doivent être fournies par les autorités compétentes.
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • Faibles pertes de commutation
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Typique Applications

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Description

GD450HFT120C6S_G8

Unités

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 30

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25

@ T C = 100

660

450

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1ms

900

Une

Je F

Diode courant continu avant Cu Rente

450

Une

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t P =1ms

900

Une

P d

Puissance maximale Dissipation @ T j =17 5

2083

Le

t jmax

Température maximale de jonction

175

t le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

t GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V. Le groupe

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 à 6.0

3.0 à 6.0

N.m.

g

Poids de Module

910

g

Électrique Caractéristiques de L'IGBT t C = 25 à moins Autrement Noté

Caractéristiques hors

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe (BR )Le CES

Collecteur-Émetteur

Tension de rupture

t j = 25

1200

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25

400

nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte tension

Je C =18.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25

5.0

5.6

6.5

V. Le groupe

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25

1.70

2.15

V. Le groupe

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125

1.95

Caractéristiques de commutation

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =450A, r g = 1,5Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 25

360

N.S.

t r

Il est temps de monter.

140

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

550

N.S.

t F

Temps d'automne

146

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

11.5

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

48.0

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =450A, r g = 1,5Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, t j = 125

374

N.S.

t r

Il est temps de monter.

147

N.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

623

N.S.

t F

Temps d'automne

178

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement

Perte de

17.9

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

64.5

Je suis désolé.

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 30V, f=1MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

39.0

NF

C rés

Transfert inverse

Capacité

1.26

NF

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

t j = 125 ,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

1800

Une

r Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.67

Oh

L CE

Inductivité de déplacement

20

NH

r CC+EE

Conducteur de module

Résistance,

Terminal au chip

1.10

Électrique Caractéristiques de Diode t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

tension

Je F =450A

t j = 25

1.65

2.25

V. Le groupe

t j = 125

1.65

Q: Le numéro r

Récupéré

charge

Je F =450A,

V. Le groupe r =600V,

r g = 1,5Ω,

V. Le groupe Généralement générés =-15V

t j = 25

41.6

Le taux de décharge

t j = 125

77.5

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

t j = 25

241

Une

t j = 125

325

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

t j = 25

23.2

Je suis désolé.

t j = 125

43.1

NTC t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

r 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de r 100

r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

dissipation de puissance

20.0

MW

B 25 à 50%

Valeur B

r 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2-

Je suis désolé.

3375

k

Caractéristiques thermiques les tics

Le symbole

Paramètre

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

r θ JC

Les points de jonction (par IGB) T)

0.072

Pour les produits de base

r θ JC

Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.110

Pour les produits de base

r θ CS

Boîtier-à-Évier (Graisse conductrice ap pliquée)

0.005

Pour les produits de base

Le schéma

image(6778dd5b7b).png

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