Module IGBT 1700V

Le symbole

Description

Les données de référence doivent être fournies par les autorités compétentes.

Unités

VCES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V. Le groupe

VGES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

IC

Courant de collecteur@ TC=25℃

Courant de collecteur@ TC=80℃

5200

Une

3600

Les États membres

Courant collecteur pulsé tp= 1ms

7200

Une

Si

Diode à courant continu vers l'avant

3600

Une

MFI

Le diode est équipé d'un système de décharge de courant

7200

Une

PD

Dissipation de puissance maximale @ Tj= 175℃

19.7

KW

Tj

Température maximale de jonction

175

℃

TSTG

Plage de température de stockage

-40 à +125

℃

VISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V. Le groupe

Montage

Vis de terminal de signal:M4

Vis de terminal d'alimentation:M8

1.8 à 2.1

8.0 à 10

N.m.

Couple

Vis de montage:M6

4.25 à 5.75

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V(BR)CES

Collecteur-Émetteur

Tension de rupture

Tj=25℃

1700

V. Le groupe

Le CIEM

Courant de coupure du collecteur

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25℃

5.0

Le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte

Actuel

Les températures sont calculées en fonction des températures de l'air.

400

nA

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

VGE (ème)

seuil d'émetteur de porte

tension

IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

V. Le groupe

VCE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

V. Le groupe

IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃

2.40

2.85

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

Le siège

Charge de la porte

VGE = - 15...+15V

42.0

Le taux de décharge

RGint

Résistance de porte interne

Tj=25℃

0.5

Oh

Le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

N.S.

le

Il est temps de monter.

205

N.S.

Le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

1510

N.S.

Tf

Temps d'automne

185

N.S.

Eon

Perte de commutation à la mise sous tension

498

Je suis désolé.

Je vous en prie.

Perte de commutation à l'arrêt

1055

Je suis désolé.

Le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj= 125℃

785

N.S.

le

Il est temps de monter.

225

N.S.

Le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

1800

N.S.

Tf

Temps d'automne

325

N.S.

Eon

Perte de commutation à la mise sous tension

746

Je suis désolé.

Je vous en prie.

Perte de commutation à l'arrêt

1451

Je suis désolé.

Les

Capacité d'entrée

VCE = 25V, f = 1 MHz,

VGE = 0V

317

NF

Coes

Capacité de sortie

13.2

NF

Des produits

Transfert inverse

Capacité

10.5

NF

CSI

Données SC

tsc≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

14000

Une

LCE

Inductivité de déplacement

10

NH

RCC’+EE ’

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.12

mΩ

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

VF

Diode vers l'avant

tension

IF=3600A

Tj=25℃

1.80

2.20

V. Le groupe

Tj= 125℃

1.90

2.30

Qr

Charge récupérée

IF=3600A,

VR = 900V,

RGon=0.4Ω,

VGE=- 15V

Tj=25℃

836

Le taux de décharge

Tj= 125℃

1451

MRI

Courant de récupération inverse

Tj=25℃

2800

Une

Tj= 125℃

3300

Érec

Récupération inverse de l'énergie

Tj=25℃

590

Je suis désolé.

Tj= 125℃

1051