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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD225HTT120C7S, Module IGBT, 6 en un seul emballage, STARPOWER

1200V 225A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD225HTT120C7S
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 225A. Je suis désolé.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • Faibles pertes de commutation
  • Capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Invertisseurs pour moteur
  • Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
  • Alimentation sans interruption Y

L'IGBT -Invertisseur t C = 25 à moins Autrement Noté

Valeurs maximales nominales

Le symbole

Description

GD225HTT120C7S

Unités

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur @ T j = 25

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte @ T j = 25

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant Collecteur @ t C = 25

@ T C = 80

400

225

Une

Je cm

Courant collecteur pulsé t P =1 MS

450

Une

P tout

Dissipation de puissance totale @ T j = 175

1442

Le

Caractéristiques hors

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe (BR )Le CES

Collecteur-Émetteur

Tension de rupture

t j = 25

1200

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint

Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, t j = 25

5.0

Le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, t j = 25

400

nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe Généralement générés (Le )

seuil d'émetteur de porte tension

Je C =9.0 Le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , t j = 25

5.0

5.8

6.5

V. Le groupe

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

Je C =225A,V Généralement générés = 15 V, t j = 25

1.70

2.15

V. Le groupe

Je C =225A,V Généralement générés = 15 V, t j = 125

2.00

Caractéristiques de commutation

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =225A, r g = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 25

251

N.S.

t r

Il est temps de monter.

89

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

550

N.S.

t F

Temps d'automne

125

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

/

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

/

Je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =225A, r g = 3,3Ω,V Généralement générés = ± 15 V, t j = 125

305

N.S.

t r

Il est temps de monter.

100

N.S.

t d (Éteint )

Débranchement Temps de retard

660

N.S.

t F

Temps d'automne

162

N.S.

E. Je suis désolé. sur

On le met en marche Le changement Perte de

15.1

Je suis désolé.

E. Je suis désolé. Éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

35.9

Je suis désolé.

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz,

V. Le groupe Généralement générés =0V

16.0

NF

C oes

Capacité de sortie

0.84

NF

C rés

Transfert inverse

Capacité

0.73

NF

Q: Le numéro g

Charge de la porte

V. Le groupe CC =600V,I C =225A, V. Le groupe Généralement générés =15V

2.1

Le taux de décharge

r Le gint

Résistance de porte interne

3.3

Oh

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés =15 V,

t j = 125 ℃, V. Le groupe CC =900V, V. Le groupe MEC ≤1200V

900

Une

Diode -Invertisseur t C = 25 à moins Autrement Noté

Valeurs maximales nominales

Le symbole

Description

GD225HTT120C7S

Unités

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive @ T j = 25

1200

V. Le groupe

Je F

Courant Direct de Polarisation @ T C = 80

225

Une

Je MFN

Courant de Polarisation de Crête Répétitif t P =1ms

450

Une

Valeurs caractéristiques

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant

tension

Je F =225A,

V. Le groupe Généralement générés =0V

t j = 25

1.65

2.15

V. Le groupe

t j = 125

1.65

Q: Le numéro r

Charge récupérée

Je F =225A,

V. Le groupe r =600V,

r g = 3,3Ω,

V. Le groupe Généralement générés =-15V

t j = 25

22

Le taux de décharge

t j = 125

43

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

t j = 25

160

Une

t j = 125

198

E. Je suis désolé. Réc

Récupération Énergie

t j = 25

11.2

Je suis désolé.

t j = 125

19.9

Électrique Caractéristiques de NTC t C = 25 à moins Autrement Noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

r 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de r 100

r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

dissipation de puissance

20.0

MW

B 25 à 50%

Valeur B

r 2= R 25Exp [B 25 à 50% 1/T 2-

Je suis désolé.

3375

k

Module IGBT

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= Une minute.

2500

V. Le groupe

L CE

Inductivité de déplacement

20

NH

r CC+EE

Résistance de conduite du module e, Terminal à Puce @ T C = 25

1.10

r θ JC

Jonction-à-Boîtier (par IGBT-onduleur) Jonction-à-Boîtier (par DIODE-onduleur er)

0.104

0.173

Pour les produits de base

r θ CS

Boîtier à dissipateur (application de graisse conductrice faite)

0.005

Pour les produits de base

t jmax

Température maximale de jonction

175

t GST

Température de stockage Autonomie

-40

125

Montage Couple

Écrou de borne de puissance:M6

Montage Pour les appareils de type à moteur

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m.

g

Poids de Module

910

g

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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